2014 Fiscal Year Research-status Report
フレキシブル塗布型有機トランジスタメモリの実現に向けた基盤技術開発
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26420276
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| Research Institution | Osaka Prefecture University |
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Principal Investigator |
永瀬 隆 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (00399536)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| Keywords | 有機トランジスタ / 有機メモリ / 塗布型有機半導体 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
フレキシブルで低コストな有機デバイスの実現には、溶液プロセスから作製が可能な有機トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発が不可欠である。本研究では、塗布型有機トランジスタメモリの高性能化や高機能化を目標とし、基盤技術開発に取り組んでいる。平成26年度は、新たな電荷蓄積層として有機材料や無機ナノ粒子を用いて、有機トランジスタメモリを塗布法により作製し、無機ナノ粒子を用いた素子でメモリ特性を示すことを明らかとした。また、nチャネル有機トランジスタにおけるメモリ動作を調べるため、可溶性n型有機半導体を用いたトランジスタの開発を検討し、簡易的な塗布プロセスにより作製したトップゲート有機トランジスタにおいて、0.4 cm2/Vsを超える電子移動度、高い動作安定性を得ることに成功した。加えて、有機トランジスタメモリの低電圧化を目指し、有機トランジスタのゲート絶縁膜の薄膜化や印刷法を用いた素子作製についても実験を進めた。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
平成26年度に研究目標として挙げていた新たな電荷蓄積層の開発については、塗布型無機ナノ粒子でメモリ効果を示すことが明らかとなり、新たなメモリ素子・材料としての可能性を見出すことができた。また、電子トラップ導入によるメモリ効果を調べるために可溶性n型有機半導体の材料探索や素子作製プロセスの最適化を進めた結果、高移動度で動作安定性が高い塗布型nチャネル有機トランジスタを開発することができた。また、ゲート絶縁膜の薄膜化によって有機トランジスタの低電圧動作や性能向上が可能であることを明らかにした。年度当初に予定していた電荷蓄積層として有機材料を用いた有機トランジスタメモリや印刷法を用いた有機トランジスタの作製に関してはやや遅れているが、その他では順調に結果が得られており、論文も投稿予定である。そのため、全般的には研究はおおむね順調に進展していると判断した。
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| Strategy for Future Research Activity |
今後はこれまでに得た知見をもとに、塗布型有機トランジスタメモリの作製や特性評価を進めていく。無機ナノ粒子を用いたメモリ素子では、２端子測定及びインピーダンス装置や走査プローブ顕微鏡等を用いた各種分光法により動作解析を進めるとともに有機トランジスタメモリの作製条件の最適化を行っていく。また、各種の有機蓄積層を用いた素子作製や特性評価も行い、メモリ動作や新たな機能性の発現を目指す。併せて、前年度に開発したnチャネルトップゲート有機トランジスタを用いたメモリ素子の開発や印刷法を用いた素子プロセスを確立し、駆動電圧の低減を図っていく。
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