高濃度イオン注入によるセラミックス系機能膜の創出と構造

1987 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 61470067
• Research Institution: Nagaoka University of Technology
• Principal Investigator: 岡本 祥一 長岡技術科学大学, 工学部, 教授 (60087418)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 小林 健吉郎 愛媛大学, 工学部, 助手 (20153603) ; 植松 敬三 長岡技術科学大学, 工学部, 助教授 (00110726) ; 高田 雅介 長岡技術科学大学, 工学部, 助教授 (20107551) ; 松下 和正 長岡技術科学大学, 工学部, 教授 (80024610) ; 山下 努 長岡技術科大学, 工学部, 教授 (30006259)
• Keywords: イオン注入 / 鉄藏化物 / Fe_<16>N_2 / ZnO / ZnSe / P型制御

Research Abstract

MgO単結晶基板上に〈001〉がほぼ完全に優先配向した鉄薄膜(膜尾2000
膜厚2000板のコバルト薄膜に加速電圧140keV, 注入量4〜12X10^<16> O_2/cm^2の酸素イオンを注入して, 金属コバルト・酸化コバルト(CoO)接合を持つ薄膜を作製しその磁気特性を調べた. 磁場を印加しながら液体窒素温度まで磁場中冷却したところCoーCoO接合界面が関与していると考えられる交換磁気異方性に併なう磁化曲線のシフトが観測された. こういった特性は, 永久磁石の性能向上や新しい磁気記録媒体に利用できる可能性がある. また, 酸素イオン注入によって金属薄膜中に金属ー金属酸化物接合構造を制御性良く形成する手法が開発できた.
IIーVI族化合物半導体への窒素イオン注入によるP型制御を目的として, ZnOスパッタ膜, ZnO単結晶, ZnSe単結晶に窒素イオンを注入した, 電気的特性と光学的特性(主にフォトルミネセンス)の変化を調べた. ZnOスパッタ膜へのN注入からは, アクセプタが生成してドナーを補償する効果により抵抗が増加する傾向が見られたがP型を示す試料は得られていない. 一方, ZnO単結晶へ注入した場合,370〜420nmに窒素が関与していると思われるブロードは発光が観測されたが, 発光の正確な帰属はできていない.

Research Products

• [Publications] 中島健介: 日本化学会誌. 1896-1900 (1987)
• [Publications] 中島健介: 日本化学会誌. 2001-2003 (1987)
• [Publications] 小林健吉郎: Chemistry Letters. 1881-1884 (1987)
• [Publications] 小林健吉郎: J.Electroanal.Chem. 225. 79-92 (1987)
• [Publications] 小林健吉郎: 日本化学会誌. 1901-1907 (1987)
• [Publications] 中島健介: J.Am.Cera.Soc.70. 321-322 (1987)
• [Publications] 岡本祥一: "磁気と材料" 共立出版, 150 (1988)