ブリジマン法による半絶縁性カドミテルライドの大形結晶の成長に関する研究

1986 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 61550234
• Research Institution: Kansai University
• Principal Investigator: 横田 勝弘 関西大, 工学部, 助教授 (50067617)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 田村 進 関西大学, 工学部, 助手 (10067754) ; 片山 佐一 関西大学, 工学部, 教授 (90067398)
• Keywords: 化合物半導体 / 不純物 / 電気的特性 / 微小元素分析

Research Abstract

ブリジマン法で、Te過剰の融液から作ったCdTeがなぜP形になるかについては計画調書と交付申請書に記載した。このCdTeのキャリア密度の温度依存性から、キャリアはTeの過剰に基づくCd空孔に基因するものではなく、Te格子位置を占めるP形不純物によっていることが判った。不純物がTe格子位置を占有することを柳制するために、CdTe成長過程でのTeの損失を防げばよい。TeはCdより酸化され易いので、その過程から水分を除く一つの方法として、クライオポンプを使った。このようにして作ったCdTeは高抵抗になった。右表はクライオポンプを用いて作ったCdTe拡散ポンプを用いて作ったものの不純物分析の結果である。両者の方法で作ったCdTe中の不純物濃度には殆んど差異はない。クライオポンプで作ったCdTeが高抵抗になったのは残存水分が減ったためである。この結果については現在まとめている最中である。