1989 Fiscal Year Annual Research Report

原子レベルでの結晶成長機構に関する研究

Research Project

Project/Area Number	62302060
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	西永頌東京大学, 工学部, 教授 (10023128)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	赤崎勇名古屋大学, 工学部, 教授 (20144115) 武居文彦東京大学, 物性研究所, 教授 (60005981) 八木克道東京工業大学, 理学部, 教授 (90016072) 小松啓東北大学, 金属材料研究所, 教授 (00108565) 黒田登志雄北海道大学, 低温科学研究所, 教授 (70080447)
Keywords	結晶成長理論 / 核形成 / ステップカイネティクス / エピタキシャル成長機構 / 成長表面構造 / 計算機シミュレ-ション / 表面ラフニング / 成長のその場観察
Research Abstract	本総合研究は3年目に入り、最終年度となったので各分担テ-マに関し、理論的・実験的研究を進めるとともに3年間のまとめを行なった。結晶成長理論の精密化に関しては、擬似液体層が存在する場合の成長樹技状成長の形態、計算機による成長のシミュレ-ションを行ない成長の微視的振舞の理解を進めた。核形成の原子的プロセスに関しては微粒子の核形成、多成分系の核形成理論につき研究を行なった。原子的ステップの振舞については超高真空下でGaAsのMBE成長を行なったとき、成長とともにステップ端がどのように変化するかを調べた。又、ファセット近傍の形状を調べることによりステップ間相互作用についての知見を得た。さらに高分子の結晶成長におけるステップの役割について研究を行なった。結晶の表面構造は成長を理解する上で極めて重要である。そこで、超高真空下でシリコンの表面構造をステップとのかかわり合いでくわしく調べた。又、高温での表面のラフニングにいても研究を行なった。結晶成長のその場観察については水溶液からの結晶成長につき、濃度分布、流れを観察しつつステップの動きを調べる成長系を作り実験を行なった。成長速度を増加して行くとある所で対流が発生し、それにともないステップ速度が大きく増加する。又、今年度は高温超伝導材料の結晶成長も行ない、溶液成長における表面形態、とりわけ成長ステップの観察を行なった。エピタキシャル成長機構に関しては核形成の様子につき研究を行なった。以上、核形成の問題から環境相における物質輸送まで、理論的、実験的研究を行ない原子スケ-ルでの成長素過程に関し、より深い理解を得た。

Research Products

(7 results)

All Other

All Publications (7 results)

[Publications] T.Nishinaga: "Study of Nitrogen Inhonogeneity in LPE GaP by Spatially Resolved Photo luminescence." Japan.J.Appl.Plys.28. 836-840 (1989)
[Publications] T.Shitara: "Surface Diffusion Length of Ga during MBE Growth on the Various Misoriented GaAs(oo1)Substrates" Japan.J.Appl.Phys.28. 1212-1216 (1989)
[Publications] T.Nishinaga: "Growth Indnced Conposittonal Nonuniformity in(Ga,Al)As and Thermoclynamical Analyeis" J.Crystal Growth. 98. 98-107 (1989)
[Publications] S.Zhang: "Epitoxial Lateral Overgrowth of GaAs on(001)GaAs Substrates by LPE,Growth Behavior and Mechanism" J.Grystal Growth(印刷中).
[Publications] T.Nishinaga: "Surface Diffusion and Related Phenomena in MBE Growth of III-V compounols" J.Grystal Growth(印刷中).
[Publications] Y.Suzuki: "The Sources of Afomic Steps in Epitaxial Lateral Overgrowth of si" J.Crystal Growth(印刷中).
[Publications] 西永頌(編集): "総研(A)「原子レベルでの結晶成長機構に関する研究」第3回研究会報告論文集(英文)、Proc.3rd Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism" 本総研事務局, 110 (1990)

1989 Fiscal Year Annual Research Report

原子レベルでの結晶成長機構に関する研究

Principal Investigator

西永 頌 東京大学, 工学部, 教授 (10023128)

Research Products

[Publications] T.Nishinaga: "Study of Nitrogen Inhonogeneity in LPE GaP by Spatially Resolved Photo luminescence." Japan.J.Appl.Plys.28. 836-840 (1989)

[Publications] T.Shitara: "Surface Diffusion Length of Ga during MBE Growth on the Various Misoriented GaAs(oo1)Substrates" Japan.J.Appl.Phys.28. 1212-1216 (1989)

[Publications] T.Nishinaga: "Growth Indnced Conposittonal Nonuniformity in(Ga,Al)As and Thermoclynamical Analyeis" J.Crystal Growth. 98. 98-107 (1989)

[Publications] S.Zhang: "Epitoxial Lateral Overgrowth of GaAs on(001)GaAs Substrates by LPE,Growth Behavior and Mechanism" J.Grystal Growth(印刷中).

[Publications] T.Nishinaga: "Surface Diffusion and Related Phenomena in MBE Growth of III-V compounols" J.Grystal Growth(印刷中).

[Publications] Y.Suzuki: "The Sources of Afomic Steps in Epitaxial Lateral Overgrowth of si" J.Crystal Growth(印刷中).

[Publications] 西永頌(編集): "総研(A)「原子レベルでの結晶成長機構に関する研究」第3回研究会報告論文集(英文)、Proc.3rd Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism" 本総研事務局, 110 (1990)

西永頌東京大学, 工学部, 教授 (10023128)