1988 Fiscal Year Annual Research Report
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62850057
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| Research Institution | Osaka University, Faculty of Engineering Science |
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Principal Investigator |
岡本 博明 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (90144443)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
服部 有 日本電装, 日本自動車部品総合研究所, 研究員
浜川 圭弘 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (10029407)
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| Keywords | アモルファスSiC / 薄膜LED / フラットパネル型ディスプレイ素子 |
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| Research Abstract |
本年度は、前年度に開発したキャリア注入層をベースとして、より高い発光特性を実現するために、発光層であるi層の特性改善を重点的に試みた。従来、可視発光を得るには、発光層の禁止帯幅は少なくとも2.5eV以上が必要であった。これが、キャリアの注入効率、そして発光性能を制限している重要な因子の一つである。従って、例えばより狭い禁止帯幅で可視発光特性を有する材料が作製されれば、結晶LEDで採用されているダブルヘテロ構成を形成することが可能となり、発光特性の大はばな改善が期待できる。
具体的には、これまで固定していた基板温度や投入高周波電力等の作製条件を、広い範囲で変化させてaーSiCi層を形成し、フォトルミネッセンスを初めとする種々の光学的評価に基づいて、発光層としての最適化を行なった。その結果、低基板温度100℃(従来は約200℃)および高投入電力200〜300W(従来は約50W)の条件下で、禁止帯幅が2.3eV近くで可視発光を示す(aーSiCを作製することに成功した。この材料をLEDのi層に用いて、5V程度と低い直流電圧下で、10cd/m^2を超える黄橙発光を達成することができた。
また、開発されたLEDは、数KHzまでのパルス電圧駆動も可能であることが確認されている。さらに、フォトリングラフィー技術を用いて数cm角の発光ディスプレイ・パターンの試作も試み、良好な結果を得ている。
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[Publications] D.Kruangam: MRS Symposia Proceedings. 95. 609-615 (1987)
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[Publications] Y.Hamakawa: 17th European Solid State Device Research Conference. 135-139 (1987)
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[Publications] D.Kruangam: J.Non-Cryst.Solids. 97&98. 293-296 (1987)
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[Publications] Y.Hattori: J.Non-Cryst.Solids. 97&98. 1079-1083 (1987)
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[Publications] D.Kruangam: IEEE Trans.Electron Devices. 35. 957-965 (1988)
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[Publications] Y.Hamakawa: Applied Surface Science. 33&34. 1142-1150 (1988)
