1989 Fiscal Year Annual Research Report
カロリメタ-中に発生する中性子の半導体検出器とエレクトロニクスに及ぼす影響
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63460016
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| Research Institution | HIROSHIMA UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
大杉 節 広島大学, 理学部, 助教授 (30033898)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
阪口 篤志 広島大学, 理学部, 助手 (70205730)
千葉 保男 広島大学, 理学部, 助手 (10106792)
近藤 敬比古 高エネルギー物理学研究所, 教授 (30150006)
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| Keywords | 中性子損傷 / 放射線損傷 / シリコン半導体検出器 / シリコン半導体の中性子損傷 / 半導体の放射線損傷 |
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| Research Abstract |
半導体検出器への中性子照射実験により得られたデ-タを整理、解析し公表した。中性子照射によるシリコン半導体検出器の損傷はバルク損傷が主であり、その損傷の程度は暗電流の増加として観測される。バルク損傷を暗電流の変化をパラメタ-として表すと
1)暗電流の増加は中性子照射線量に比例する。その比例係数をバルク損傷係数として考えると中性子による損傷係数は高エネルギ-陽子(12GeV)による損傷係数の約倍であった。
2)中性子照射によって増加した暗電流は照射直後から自然アニ-リングによって指数関数的に減少する。その減少(回復)量は照射後80日くらいで照射1時間後の暗電流の40%減で止まる。
3)中性子による損傷係数は、1MeVから10MeV付近で中性子のエネルギ-に強く依存している。
4)中性子損傷の中性子瞬間強度依存生は10^9ncm^<-2>S^<-1>から10^<13>ncm^<-2>S^<-1>の間では非常に弱いことがわかった。
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