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1989 Fiscal Year Annual Research Report

光CVD法によるAl_2O_3絶縁膜の低温作製

Research Project

Project/Area Number 63550235
Research InstitutionKyoto Institute of Technology

Principal Investigator

更家 淳司  京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授 (90026154)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 松村 信男  京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助手 (60107357)
西野 茂弘  京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助教授 (30089122)
Keywordsアルミナ膜 / 光CVD法 / 堆積速度 / 誘電損失
Research Abstract

有機金属化合物アルミニウム・トリイソプロポキシド(ATI)を原料に用いたAl_2O_3膜のCVDに於て、まず、酸素流量が堆積速度に及ぼす効果を調べた。その結果、基板温度260℃では、酸素流量40SCCM付近で堆積速度が最大となることがわかった。このことは、ATIの熱分解による堆積と、ATIと酸素のLangmuir-Hinshclwood機構による堆積が重畳していることを示している。酸素流量200SCCM付近では、酸素を雰囲気に加えた効果は堆積速度には殆んどあらわれない。
合成石英窓を通じて、低圧水銀ランプからの紫外光を基板に照射すると、酸素流量20〜30OSCCMの広い範囲で、堆積速度が大巾に増加した。合成石英窓を用いた実験と溶融石英窓を用いた実験を比較すると、この堆積速度の増加には、水銀ランプの185nm光と254nm光の内、少なくとも185nm光が強く関与していることが判明した。4重極質量分析装置による測定でも、酸素の化学的活性が紫外光により向上していることが確かめられた。
電気的特性として、主に誘電損失tanδに注目してAl_2O_3膜を評価した。酸素流量200SCCMでは、紫外光照射によってtanδは減少し、260℃程度の低温でtanδは3%程度となった。これは、窒素雰囲気での熱CVDの試料の数十%のtanδに比べ、大巾な特性向上である。光CVD試料のtanδは260〜300℃の基板温度ではあまり変化しなかった。結局、光CVDによって、低温での堆積速度の増加と特性の改善が実現されたことになる。

  • Research Products

    (1 results)

All Other

All Publications (1 results)

  • [Publications] Junji Saraie: "Effects of Various Atmospheres on the Reduced-Pressure CVD of Al_2O_3 Thin Films at Low Temperatures" Journal of the Electrochemical Society. 136. 3139-3141 (1989)

URL: 

Published: 1993-03-26   Modified: 2016-04-21  

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