Hybrid CMOS comprising four-terminal poly-IV TFTs on a glass substrate
| Project/Area Number |
16K06311
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Tohoku Gakuin University |
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Principal Investigator |
Hara Akito 東北学院大学, 工学部, 教授 (20417398)
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| Research Collaborator |
Sugawara Fumihiko
Suzuki Hitoshi
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2018)
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| Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2018: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Fiscal Year 2017: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2016: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
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| Keywords | 薄膜トランジスタ / 多結晶シリコン / 多結晶ゲルマニウム / ４端子 / ハイブリッドCMOS / インバータ / CMOS / 多結晶ゲルマニウムスズ / 四端子 / ダブルゲート / poly-Si TFT / poly-Ge TFT / ガラス / シリコン / ゲルマニウム / 4端子 / ハイブリッドＣＭＯＳ |
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| Outline of Final Research Achievements |
We fabricated a CMOS inverter consisting of four-terminal poly-Si TFTs at 550 °C on a glass substrate and successfully operated the CMOS inverter at Vdd = 1.0 V. We also fabricated a double-gate poly-Ge TFT on a spin-coated polyimide plastic substrate through copper induced crystallization. The results showed an on/off ratio of 2000 and a maximum mobility of 30 cm2/Vs, thus indicating the feasibility of poly-Ge TFT on plastic substrates.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
IoTエッジデバイスでは、数MHz程度で時々動作するデバイスから、大量のデジタル・アナログデータを常時扱う高性能デバイスまで要求性能が多岐にわたる。将来的には、IoTエッジデバイスの多様化・多機能化とともに、用途に応じてプラスチック・ガラス・金属・紙・繊維などのSiウエハ以外の基板上にデバイスを形成することが重要になる。本研究はガラスやプラスチック上に高性能なデバイスを実現するための研究であり、得られた成果は、本研究のアプローチが、ガラスやプラスチック上へのLSI形成、さらには3次元LSIに展開可能であることを示唆している。
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Report
(4 results)
Research Products
(66 results)
