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Understanding of growth mechanism of cobalt silicide thin films bysputtering method and its application for electron devices.

Research Project

Project/Area Number 19560764
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Research Field Reaction engineering/Process system
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

TSUJI Yoshiko  The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 助教 (10436529)

Research Collaborator 中村 新一  青山学院大学, 機器分析センター, 技術主幹
Project Period (FY) 2007 – 2008
Project Status Completed (Fiscal Year 2008)
Budget Amount *help
¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywordsコバルトシリサイド / スパッタ / 結晶成長 / 核発生と成長 / 配向 / 界面ラフネス / 半導体デバイス
Research Abstract

MOSFET-LSI の電極・配線材料として広く使用されているシリサイド薄膜において、トランジスタ特性のばらつきの原因となるシリサイド/絶縁膜界面ラフネスのないCoSi_2 膜(膜厚30nm)を低温(<500℃)で形成させた。ここではCo とSi の同時成膜によるCoSi_2 多結晶膜形成を試み、結晶成長の立場から膜構造形成メカニズムを理解した。また、CoSi_2電極の電気的機能評価を行い、プロセス-構造-機能の関係を明らかにした。

Report

(3 results)
  • 2008 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2007 Annual Research Report

Research Products

(3 results)

All 2008

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (1 results)

  • [Journal Article] Mechanism of CoSi_2/Si epitaxy andfabrication process of double heteroepitaxial Si/CoSi_2/Si2008

    • Author(s)
      Y. Tsuji, M. Mizukami and S. Noda
    • Journal Title

      Thin SolidFilms 516

      Pages: 3989-3995

    • Related Report
      2008 Final Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Mechanism of CoSi2/Si epitaxy and fabrication process of double heteroepitaxial Si/CoSi2/Si2008

    • Author(s)
      Y. Tsuji, M. Mizukami and S. Noda
    • Journal Title

      Thin Solid Films 516

      Pages: 3989-3995

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 電子デバイス用コバルトシリサイド薄膜の結晶成長の理解と制御2008

    • Author(s)
      辻由樹絵、辻佳子、野田優、山口由岐夫
    • Organizer
      社団法人 化学工学会
    • Place of Presentation
      仙台
    • Year and Date
      2008-09-26
    • Related Report
      2008 Annual Research Report 2008 Final Research Report

URL: 

Published: 2007-03-31   Modified: 2016-04-21  

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