A Study on New Three-Dimensional Ultra High-Speed and Low-Loss Power Devices with Electric Field Effect Drift Layer
| Project/Area Number |
19686019
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
電力工学・電気機器工学
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
CHENG Weitao Tohoku University, 未来科学技術共同研究センター, 助教授 (60431540)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥26,780,000 (Direct Cost: ¥20,600,000、Indirect Cost: ¥6,180,000)
Fiscal Year 2008: ¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000)
Fiscal Year 2007: ¥22,620,000 (Direct Cost: ¥17,400,000、Indirect Cost: ¥5,220,000)
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| Keywords | パワーデバイス / 電界効果ドリフト層 / 3次元構造 / コーナー丸め効果 / 平坦化 |
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| Research Abstract |
本研究は、より環境にやさしい省エネルギー社会の実現に重要な役割をもつ高速かつ低損失パワーデバイスの実用を目指し、デバイス形成プロセスおよびパワーデバイスの構造そのものに着目し、チャンネル抵抗などオン抵抗を大幅に低減することに成功し、シリコン系でもワイドギャップ系でも応用可能な非常に高性能かつ低損失な新しい2次元および高集積度の3次元パワーデバイスを実現可能であることを実証した。
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Report
(3 results)
Research Products
(45 results)
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[Presentation] High Performance Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110)Surfaces2007
Author(s)
W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, C. Tye, T. Suwa, T Goto, F Imaizumi, S, Sugawa, T. Ohmi
Organizer
IEICE Technical Report SDM 2007-187, pp.45-48
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