| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
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| 研究課題/領域番号 |
18069003
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
藤岡 洋 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (50282570)
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| 研究分担者 |
太田 実雄 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (60392924)
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| 連携研究者 |
太田 実雄 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (60392924)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
66,200千円 (直接経費: 66,200千円)
2010年度: 11,600千円 (直接経費: 11,600千円)
2009年度: 11,600千円 (直接経費: 11,600千円)
2008年度: 11,600千円 (直接経費: 11,600千円)
2007年度: 15,700千円 (直接経費: 15,700千円)
2006年度: 15,700千円 (直接経費: 15,700千円)
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| キーワード | III族窒化物 / パルス励起堆積法 / 低温成長 / 窒化インジウム / 赤外発光素子 / 高速電子素子 |
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| 研究概要 |
本研究ではパルス励起堆積法と呼ばれる新しいInN系半導体低温成長技術を開発した。本手法を用いることにより、極めて高品質なInNやその混晶(InAlN、InGaN)の結晶成長が可能となった。また、本手法を用いてpn制御や急峻なヘテロ接合形成を行い、発光ダイオードなどの素子を試作したところ、本提案のパルス励起堆積法がInN系窒化物半導体薄膜成長技術として極めて有望であることが示された。
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