| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
|---|
| 研究課題/領域番号 |
18069004
|
|---|
| 研究種目 |
特定領域研究
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 審査区分 |
理工系
|
|---|
| 研究機関 | 東京農工大学 |
|---|
研究代表者 |
纐纈 明伯 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 教授 (10111626)
|
|---|
| 研究分担者 |
熊谷 義直 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 准教授 (20313306)
村上 尚 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 助教 (90401455)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
67,900千円 (直接経費: 67,900千円)
2010年度: 8,500千円 (直接経費: 8,500千円)
2009年度: 8,500千円 (直接経費: 8,500千円)
2008年度: 12,700千円 (直接経費: 12,700千円)
2007年度: 15,300千円 (直接経費: 15,300千円)
2006年度: 22,900千円 (直接経費: 22,900千円)
|
|---|
| キーワード | 窒化物半導体 / 厚膜エピタキシー / 自立基板結晶 / Al系窒化物 / 原料分子制御法 / HVPE成 / HVPE成長 / AlN / AlGaN / AIN / AIGaN / A1系窒化物 / A1N / A1GaN / 結晶成長 / エピタキシャル / 結晶工学 |
|---|
| 研究概要 |
本申請研究では、原料分子を制御した新しい気相成長法により窒化物半導体の高品質基板結晶の実現を目的として、(1)石英反応管と反応しないAl原料の利用、(2)生成の自由エネルギー変化が大きく高温成長や高速成長が期待できるIn原料の利用により、高品質なAlN,InNおよびAlGaNの厚膜エピタキシャル成長に関する研究を行った。その結果、AlN,AlGaNおよびInNの高品質・厚膜エピタキシャル成長に成功した。
|
