| 配分額 *注記 |
56,680千円 (直接経費: 43,600千円、間接経費: 13,080千円)
2012年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円)
2011年度: 11,700千円 (直接経費: 9,000千円、間接経費: 2,700千円)
2010年度: 10,920千円 (直接経費: 8,400千円、間接経費: 2,520千円)
2009年度: 11,050千円 (直接経費: 8,500千円、間接経費: 2,550千円)
2008年度: 12,350千円 (直接経費: 9,500千円、間接経費: 2,850千円)
|
|---|
| 研究概要 |
電子と正孔が同数共存する系の熱平衡状態は、物性物理学の縮図と言える程の多様性を示す.この意味で電子正孔系は物性基礎理論を考察する究極の舞台である.同時にこの系の研究は半導体レーザーへの応用面でも重要である.我々は電子正孔系を相関効果まで考慮して取り扱う新しい手法を開発し,低次元電子正孔系の相図に対する統一的な理解(グローバル相図)を明らかにした.また,電子正孔系と半導体系のちょうど中間に位置する系としてDirac電子系に注目し,強磁場下のグラフェンにおけるサイクロトロン共鳴や,半導体カーボンナノチューブにおける荷電励起子と励起子分子について考察した.さらに,電子正孔系と深い関わりを持つ他バンド強相関電子系として,多軌道ハバード模型およびカゴメ格子上のハバード模型についても考察した.
|
