研究課題/領域番号 |
03670271
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研究種目 |
一般研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
衛生学
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研究機関 | 慶応義塾大学 |
研究代表者 |
大前 和幸 慶應義塾大学, 医学部, 助教授 (60118924)
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研究分担者 |
中島 宏 慶應義塾大学, 医学部, 助手 (80217710)
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研究期間 (年度) |
1991 – 1992
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研究課題ステータス |
完了 (1992年度)
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配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1992年度: 300千円 (直接経費: 300千円)
1991年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
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キーワード | 化合物半導体 / ガリウムひ素 / 時間断面研究 / 曝露濃度 / 健康影響 / 生物学的モニタリング / 半導体 / ガリウム砒素 |
研究概要 |
1.作業環境濃度測定および個人曝露濃度測定による曝露評価:GaAs系半導体ウェハ製造の工程ごとに、ひ素とガリウムの作業環境濃度・個人曝露濃度を測定した。多くの工程で、通常の作業時の曝露レベルは非常に低いレベルであった。しかし、単結晶引き上げ工程の装置清掃作業では、比較的高いレベルのひ素粉塵(elemental As)に曝露していた。また、ウェハ切断作業で、比較的高いレベルのGaAs粉塵に曝露されうる作業があることがわかった。 2.生物学的モニタリングによる曝露評価:ひ素の化学種別分離定量法を用いた尿中ひ素濃度測定、および頭髪中のひ素濃度測定により生物学的モニタリングを実施したところ、ウェハ切断作業者の作業後の尿中無機ひ素濃度が上昇する可能性が示唆された。 3.健康影響評価:血液学的検査、肝機能検査、免疫学的検査、尿中ポルフィリン代謝物濃度測定により、GaAs系半導体ウェハ製造作業従事者の健康影響を評価した。いずれの項目も正常レベルであり、曝露との関連は認められなかった。 4.まとめ:以上の結果から、GaAs系半導体ウェハ製造現場では、一部の作業でひ素あるいはGaAs粉塵への比較的高い曝露があるが、作業に応じて保護具の使用等を実施すれば、健康への影響はコントロール可能である。 5.GaAsは使用が新しく、低濃度長期曝露による健康影響についてはまだ未知であるので、今後もフォローアップが必要である。また、有機溶剤や特殊材料ガス等による健康影響の評価についても検討する必要がある。
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