| 研究課題/領域番号 |
05245101
|
|---|
| 研究種目 |
重点領域研究
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
河津 璋 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (20010796)
|
|---|
| 研究分担者 |
長谷川 哲也 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 (10189532)
富取 正彦 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助教授 (10188790)
重川 秀実 筑波大学, 物質工学系, 助教授 (20134489)
小川 恵一 横浜市立大学, 大学院・総合理学研究科, 教授 (00233411)
岩澤 康裕 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (40018015)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1993 – 1996
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
|
| 配分額 *注記 |
132,000千円 (直接経費: 132,000千円)
1996年度: 29,800千円 (直接経費: 29,800千円)
1995年度: 31,500千円 (直接経費: 31,500千円)
1994年度: 33,700千円 (直接経費: 33,700千円)
1993年度: 37,000千円 (直接経費: 37,000千円)
|
|---|
| キーワード | 表面 / 走査トンネル顕微鏡 / 吸着 / 2次元相 / トンネル物性 / 走査トンネル分光法 / 半導体 / 触媒 / 超伝導 / 層状物質 / シリコン表面構造 / 電荷移動錯体 / 高温超伝導体 / 電荷密度波 / GaAs(001)表面 |
|---|
| 研究概要 |
本研究班の主な目的は、STM/STSにより、固体表面の性質あるいは原子分子過程を原子的スケールでしらべることにあり、以下の成果が得られた。
Si(001)表面上のGa,Ag原子の吸着2次元相における個々の原子の電子状態、構造、形成過程等に関する詳細な知見を得た。また、高指数ではあるが安定な表面であるSi(113)上のIII族原子の吸着2次元相についても同様の研究を行ない、種々の重要な知見を得た(河津 璋)。
二酸化チタンの(110)清浄表面、及び、この表面上の蒸着金属原子、吸着有機分子の高分解能観察からイオン性物質表面でのトンネル機構を考察し、さらに、吸着分子の表面拡散過程、吸着分子の熱分解反応等の表面反応過程のその場観察に成功した(岩澤康裕)。
Si(111)-7×7及びMoS_2へき開面のArイオン照射効果、Si(111)-7×7ドメインの核形成・成長過程、および、Bi系高温超伝導体のCuO_2面について、STM/STS観察を行い、原子、電子レベルの種々の重要な知見を得た(小川恵一)。
Si(100)表面超構造の揺らぎとダイナミックスについてしらべ、タイマー列の位相のずれを引き起こす位相欠陥の存在と、6K辺りの極低温において、同欠陥のダイナミックスにより、C(4×2)とp(2×2)の間の揺らぎが発現することを見出した(重川秀実)。
超高真空中で[111]方位のW単結晶針を高電圧を印加したまま加熱して先鋭化させたbuild-up探針を用いることにより、Si(111)7×7構造表面について、信頼性の高いSTM/STS測定を行うことができた(富取正彦)。
室温から極低温までの広い温度範囲及び強磁場下でも安定に動作する超高真空STM/STS装置の開発を行ない、高温超伝導体や遷移金属カルコゲナイドなどの層状物質の局所状態密度の空間変化を原子レベルで詳細にしらべた(長谷川哲也)。
|
