| 研究課題/領域番号 |
05505001
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| 研究種目 |
試験研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
奥山 文雄 名古屋工業大学, 工学部, 教授 (30024235)
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| 研究分担者 |
最上 明矩 日本電子(株), 基礎研究部長
種村 眞幸 名古屋工業大学, 工学部, 助教授 (30236715)
北 重公 名古屋工業大学, 工学部, 助教授 (60006153)
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1995
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
32,400千円 (直接経費: 32,400千円)
1995年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
1994年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
1993年度: 30,000千円 (直接経費: 30,000千円)
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| キーワード | 真空マイクロエレクトロニクス / フィールド・エミッション / スッパタリング / スパッタリング / 電界電子放射 / 表面テクスチュアリング |
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| 研究概要 |
本研究で試作を行ったナノ真空マイクロ素子作製システムは、JAMP10-7100型オージェマイクロプローブから分光部を除去した超高真空走査電子顕微鏡(SEM)と高速イオン銃より成り、以下の特徴を持つ。
1)稀ガスイオンスパッタリングを利用することにより、任意形状、任意材質の基板から成る真空マイクロ素子(エミッター)が作製できる。
2)任意形態のエミッターに対し、通電加熱、スパッタリング、形状形態、1-V特性の評価を、“その場"(UHV中)で行うことができる。
3)1μmの精度での、エミッター位置調整が可能である。
本装置を用い、金属、半導体、ダイヤモンドFEAsの電子放射特性の測定を試み、所期の目標になる成果を得ることができた。なお、試作装置は、世界に類をみない、高い独創性を有し、また性能もほこり得るものである。
最終年度のまとめの実験として、ダイヤモンドFEAsの放射特性の測定を行い、400℃をこえる温度で放射電流が劇的に増加するという、驚くべく事実が明らかとなった。これは、従来予想だにされなかった新事実であり、この新発見によって、ダイヤモンドFEAsは、その実用化に向け、大きな一歩を踏み出したということになる。
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