| 研究課題/領域番号 |
08555085
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
小野寺 秀俊 京都大学, 工学研究科, 助教授 (80160927)
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| 研究分担者 |
松澤 昭 松下電器産業, 半導体研究センター, チームリーダ
小林 和淑 京都大学, 工学研究科, 助手 (70252476)
MOSHNYAGA Va 京都大学, 工学研究科, 講師 (40243050)
田丸 啓吉 京都大学, 工学研究科, 教授 (10127102)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
7,500千円 (直接経費: 7,500千円)
1997年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
1996年度: 4,500千円 (直接経費: 4,500千円)
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| キーワード | MOSFET / 統計モデル / 中間モデル / モデルパラメータ抽出 / 比精度解析 / 統計的回路解析 / 回路シミュレーション / ワ-ストケース解析 / ばらつきモデル / 統計的モデル化 / パラメータ抽出 / 統計的設計最適化 / 歩留り / 共通モデル |
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| 研究概要 |
1.中間モデルを用いたMOSFETの統計的モデル化手法
LSI設計過程では、トランジスタ特性を種々の詳細度でモデル化している。本研究では、詳細度の異なる各種モデルに対し、共通の土台の上で統一的にばらつきの特性を表現する方法を開発した。具体的には、プロセス変動による統計的な特性変動の表現が容易で、かつ、LSI設計に用いられている各種モデルと共通の構造を持つ統計的特性モデル(中間モデル)を設計した。中間モデルと各種モデルの対応を明らかにし、中間モデルで表現した統計的な特性変動を各種モデルに変換する方法を開発した。提案手法の有効性を0.3μmCMOSプロセスにおけるトランジスタ特性のばらつきをBSIM3v3モデルを用いてモデル化した実験により確認した。
2.レイアウトを考慮したCMOS回路の比精度解析
比精度解析のためのトランジスタ特性のモデル化手法を検討した。モデル化にあたり、トランジスタゲートの仕上がり寸法に大きく影響するマイクロロ-ディング効果のモデル化も行った。モデルパラメータを抽出するためのTEG構造を明らかにし、実際に抽出実験を行った。
3.コマンド言語による統計解析CADの開発
本研究で開発した微細MOSFETの統計モデルを実設計の中で活用するために、ばらつき解析や統計的処理を設計者の要求に合わせて柔軟に定義できるCAD環境を開発した。
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