• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

異なる半導体量子構造間の量子捕獲ダイナミクス

研究課題

研究課題/領域番号 11650020
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関九州工業大学

研究代表者

藤原 賢三  九州工業大学, 工学部・電気工学科, 教授 (90243980)

研究分担者 佐竹 昭泰  九州工業大学, 工学部・電気工学科, 助手 (90325572)
研究期間 (年度) 1999 – 2000
研究課題ステータス 完了 (2000年度)
配分額 *注記
3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
2000年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
1999年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
キーワード量子井戸 / フォトルミネッセンス / 励起子 / 量子捕獲 / 時間分解発光 / 発光ダイナミクス / 発光再結合寿命 / GaAs
研究概要

複数個の電子的に独立した、異なる井戸幅の量子井戸から構成される半導体量子複合構造系において、光生成された電子・正孔ペアまたは励起子(エキシトン)の競合的量子捕獲過程が現れる機構を格子温度などの関数として明らかにするために、発光ダイナミクスについて研究を実施し、以下の成果が得られた。
(1)フォトルミネッセンス発光における量子捕獲過程の存在
3種類又は4種類の異なる井戸幅を持った量子井戸各々の極低温における励起子フォトルミネッセンス発光強度のピコ秒時間分解測定を実施した。低いエネルギーの発光バンドが他の発光バンドよりも格段に弱い発光を示す特異な現像は、発光再結合寿命時間とは異なる、量子捕獲過程によって決まる短い発光寿命時間をもつことを複数個の試料について実験的に検証した。
(2)量子捕獲ダイナミクスの格子温度効果
量子井戸間の競合的量子捕獲ダイナミクスが支配的となる、励起子発光過程が示す格子温度効果は、独立した量子井戸が通常示す発光再結合寿命時間の格子温度効果とは全く異なる新たな特性を有することを実験的に明らかにした。
(3)量子捕獲ダイナミクスの井戸幅揺らぎ依存性
分子線エピタキシャル結晶成長時に成長中断法を用いて作製した単原子層テラス構造を有するGaAs量子複合構造系の試料について、量子捕獲ダイナミクス過程が存在することを実験的に検証した。本実験の詳細な解析から複合量子井戸からの発光強度分布に及ぼす効果は、障壁層バンド端と第一励起サブバンドエネルギー準位の相対的なエネルギー位置関係が重要であることを新に発見した。
(4)量子複合構造系の量子捕獲ダイナミクスとその機構
外部障壁クラッド層のヘテロ構造のみが異なるGaAs量子複合構造系の試料間の比較から、クラッド層が混晶導体ではなくGaAs/AlAs超格子で構成された試料では、発光強度分布及び発光ダイナミクスが全く異なった発光特性を示すことがわかった。また、格子温度効果を調べ、量子捕獲過程による発光強度分布差が現れる機構は外部障壁クラッド層のエネルギー構造の違いにより変わり得ることを示した。

報告書

(3件)
  • 2000 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1999 実績報告書
  • 研究成果

    (15件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (15件)

  • [文献書誌] M.Ohe,M.Matsuo,T.Nogami,K.Fujiwara and H.Okamoto: "Photoluminescence properties of a quantum system consisting of different size GaAs quantum wells"Microelectronic Engineering. 51/52. 135-142 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2000 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Fujiwara,M.Ohe,M.Matsuo,T.Nogami,H.T.Grahn and K.H.Ploog: "Competitive capture dynamics of photogenerated carriers in a GaAs/Al_<0.17>Ga_<0.83>As triple quantum well with different well thicknesses"Proceedings of 26^<th> International Symposium on Compound Semiconductors : Institute of Physics Conference Series. No.166,Chapter3. 103-106 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2000 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Matsuo,K.Sasayama,T.Nogami,K.Satoh and K.Fujiwara: "Exciton localization dynamics due to shallow and deep isoelectric traps in a triple GaAs quantum well grown by growth-interrupted molecular beam epitaxy"Proceedings of 11th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XI). 244-247 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2000 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Fujiwara,H.T.Grahn,L.Schrottke and K.II.Ploog: "Photoexcitation-energy-dependent capture dynamics of excitons in electronically isolated GaAs quantum wells"Proceedigns of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. (in print). (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2000 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Fujiwara,H.T.Grahn,L.Schrottke,and K.H.Ploog: "Time-resolved photoluminescence of a triple GaAs quantum well with growth islands under resonant photoexcitation into the ground and excited states"Proceedings of Advanced Research Workshop on Semiconductor Nanostructures (Queenstown, New Zealand, 2000) : Physica E. (to be published). (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2000 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Ohe, M.Matsuo, T.Nogami, K.Fujiwara, H.Okamoto: "Photoluminescence properties of a quantum system consisting of different size GaAs quantum wells"Microelectronics Engineering, (Proceedings of 3rd International Conference on Low dimensional structures and devices (LDSD'99), Antalya, Turkey, September 15-17, 1999).. 51/52. 135-142 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2000 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Fujiwara, M.Ohe, M.Matsuo, T.Nogami, H.T.Grahn, K.H.Ploog: "Competitive capture dynamics of photogenerated carriers in a GaAs/Al_<0.17>Ga_<0.83>As triple quantum well with different well thicknesses"Institute of Physics Conference Series (Proceedings of 26th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS'99), Berlin, Germany, August 23-26, 1999).. No.166 ; Chapter 3. 103-106 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2000 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Matsuo, K.Sasayama, T.Nogami, K.Satoh, K.Fujiwara: "Exciton localization dynamics due to shallow and deep isoelectric traps in a triple GaAs quantum well grown by growth-interrupted molecular beam epitaxy"Proceedings of 11th Interantional Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XI). 244-247 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2000 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Fujiwara, H.T.Grahn, L.Schrottke, K.H.Ploog: "Photoexcitation-energy-dependent capture dynamics of excitons in electronically isolated GaAs quantum wells"Proceedings of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, (Osaka, Japan, 2000). (to be published). (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2000 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Fujiwara, H.T.Grahn, L.Schrottke, K.H.Ploog: "Time-resolved photoluminescence of a triple GaAs quantum well with growth islands under resonant photoexcitation into the ground and excited states"Proceedings of Advanced Research Workshop on Semiconductor Nanostructures (Queenstown, New Zealand, 2000). (to be published).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2000 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Matsuo,K.Sasayama,T.Nogami,K.Satoh and K.Fujiwara: "Exciton localization dynamics due to shallow and deep isoelectric traps in a triple GaAs quantum well grown by growth-interrupted molecular beam epitaxy"Proceedings of 11th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XI). 244-247 (2001)

    • 関連する報告書
      2000 実績報告書
  • [文献書誌] K.Fujiwara,H.T.Grahn,L.Schrottke and K.II.Ploog: "Photoexcitation-energy-dependent capture dynamics of excitons in electronically isolated GaAs quantum wells"Proceedings of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. (in print). (2001)

    • 関連する報告書
      2000 実績報告書
  • [文献書誌] K.Fujiwara,H.T.Grahn,L.Schrottke,and K.H.Ploog: "Time-resolved photoluminescence of a triple GaAs quantum well with growth islands under resonant photoexcitation into the ground and excited states"Proceedings of Advanced Research Workshop on Semiconductor Nanostructures (Queenstown, New Zealand, 2000) : Physica E. (to be publishied). (2001)

    • 関連する報告書
      2000 実績報告書
  • [文献書誌] M.Ohe,M.Matsuo,T,Nogami,K.Fujiwara,H.Okamoto: "Photoluminescence properties of a quantum system consistiny tof defferent size GaAs quantum wells"Microelectronic Engineering. (印刷中). (2000)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] K.Fujiwara,M.OheM.Matsuo,T.Nogami,H.T.Grahn,K.H.Ploog: "Competitive capture dynamics of photogenerated carriers in a GaAs/Al_<0.17>Gu_<0.83>As triple quantum well with defferent well"Institute of Physics Conference Series (Proc.of 26th Intl Symposium on Compound semiconductors). (印刷中). (2000)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書

URL: 

公開日: 1999-04-01   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi