| 研究課題/領域番号 |
15H03568
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
塚越 一仁 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA主任研究者 (50322665)
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| 研究協力者 |
木津 たきお 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, ポスドク研究員
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
16,640千円 (直接経費: 12,800千円、間接経費: 3,840千円)
2017年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2016年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2015年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | 半導体物性 / 先端機能デバイス / 表面・界面物性 / 酸化膜半導体 / 酸素欠損 / ドーピング |
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| 研究成果の概要 |
アモルファス酸化インジウム薄膜を伝導チャネルとした薄膜トランジスタにおいて、特性の不安定性を抑制するための添加元素がホスト材料に及ぼす効果を調べた。アモルファス酸化インジウム薄膜の構造の安定性は、アモルファス中の酸素欠損の密度に依存する。伝導の安定性は、伝導電子を供給する酸素欠損の密度に反比例する。この安定化のためにSiを添加した。原子半径の小さいSiの添加は、ホスト酸化インジウムを歪ませて、伝導電子の5s軌道の重なり確率を高めていることがわかった。これらの知見を基にして、Si添加の少ない構造不安定な高導電層と高密度でSiを添加した低導電性層を積層して、特性を補う構造の形成に成功した。
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