| 研究課題/領域番号 |
15H03877
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
深見 一弘 京都大学, 工学研究科, 准教授 (60452322)
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| 研究分担者 |
邑瀬 邦明 京都大学, 工学研究科, 教授 (30283633)
天野 健一 京都大学, 工学研究科, 助教 (30634191)
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| 連携研究者 |
木下 正弘 京都大学, エネルギー理工学研究所, 教授 (90195339)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
13,390千円 (直接経費: 10,300千円、間接経費: 3,090千円)
2017年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2016年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2015年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
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| キーワード | ポーラス電極 / 電気化学 / イオン移動 / ナノポーラス電極 |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではナノポーラス電極の細孔内における電気化学反応を促進するための新たな方法論の開拓を目指した。特に細孔内でのイオンの高速移動について詳細に検討した。ナノポーラスシリコンへのPt電析では、細孔径を小さくするにしたがい、電荷密度の低い（サイズの大きい）イオンが細孔内で濃化することを明らかにした。また、濃化時にはイオンの供給が極めて迅速に進むことが明らかとなった。この高速イオンの移動はナノポーラスシリコンへのPt電析に限らず、他の金属電析や電荷移動反応に寄与しない支持電解質においてもみられることが明らかとなった。本研究で得られた知見はナノポアでの電気化学反応系の設計において極めて重要である。
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