研究課題
基盤研究(B)
(100)/(001)配向したPb(Zr0.5Ti0.5)O3膜をSi、SrTiO3およびCaF2基板上に作製した。電界印加時には、可逆な格子の伸長と(100)配向から(001)配向へのドメインスイッチングが確認された。格子の伸長はすべての膜でほぼ同様に観察されたのに対し、ドメインスイッチングはSi基板上で最大となった。これが、Si基板上の膜の大きな圧電性の起源であると考えられる。
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すべて 国際共同研究 (6件) 雑誌論文 (22件) (うち国際共著 7件、 査読あり 22件、 オープンアクセス 4件、 謝辞記載あり 12件) 学会発表 (42件) (うち国際学会 12件、 招待講演 2件) 備考 (3件) 産業財産権 (3件) (うち外国 1件)
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