| 研究課題/領域番号 |
15H05763
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
荒井 滋久 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (30151137)
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| 研究分担者 |
松尾 慎治 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, ナノフォトニクスセンタ, 上席特別研究員 (00590473)
硴塚 孝明 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, ナノフォトニクスセンタ, 主任研究員 (20522345)
西山 伸彦 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80447531)
雨宮 智宏 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (80551275)
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| 研究期間 (年度) |
2015-05-29 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
199,160千円 (直接経費: 153,200千円、間接経費: 45,960千円)
2018年度: 24,180千円 (直接経費: 18,600千円、間接経費: 5,580千円)
2017年度: 44,980千円 (直接経費: 34,600千円、間接経費: 10,380千円)
2016年度: 44,980千円 (直接経費: 34,600千円、間接経費: 10,380千円)
2015年度: 85,020千円 (直接経費: 65,400千円、間接経費: 19,620千円)
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| キーワード | 光デバイス / 光回路 / 半導体薄膜光デバイス / 低消費電力光デバイス / 光配線 / 半導体薄膜 / 超低消費電力 / 光集積回路 / 電子デバイス・機器 |
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| 研究成果の概要 |
集積回路を高速動作化する際に金属配線での消費電力が急増する金属配線ボトルネック問題を解決することを目的として、超高速信号を光信号に替えて伝送するための低消費電力光デバイス実現とその光回路化を目指した研究を行った。研究代表者が提案した半導体薄膜構造を用いることにより、光ファイバ通信に用いられているレーザより１桁低い低消費電力で超高速動作する半導体レーザ源および光検出器を実現することに成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
考案した半導体レーザ薄膜構造が、現在ファイバ通信に実用化されている半導体レーザより1桁低い消費電力で毎秒20ギガビットの超高速直接変調動作が可能であることを実証すると共に、同様の半導体薄膜構造の光検出器の実現と集積化を達成したものであり、超高速動作可能な超低消費電力光集積回路の可能性を切り開いたものとして学術的意義は深く、高性能化が要望される集積回路への応用可能性を示した点で社会的意義を有している。
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A-
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評価記号 |
評価結果 (区分)
A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる
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