研究課題
基盤研究(C)
本研究ではマイクロインバータ用の200 W出力100 kHz GaN FET フライバックコンバータを試作し,動作検証を行った。試作したフライバックコンバータにおいて,GaN FET を並列接続することによって損失低減を図り,電力変換効率を改善した。GaN FET フライバックコンバータの効率測定および損失解析を行い,GaN FETを2並列接続することにより導通損失を24%低減し、電力変換効率を0.9%改善できることを確認した。
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IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
巻: 4 ページ: 926-934
10.1109/jestpe.2016.2587058