| 研究課題/領域番号 |
15K13368
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
内田 紀行 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (60400636)
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| 研究分担者 |
多田 哲也 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究グループ付 (40188248)
宮崎 吉宣 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 産総研特別研究員 (30610844)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2017年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2016年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | 半導体シリサイド / 原子層薄膜 / コンタクト抵抗 / ショットキー障壁 / シリサイド / クラスター凝集 / ナノエレクトロニクス / 原子層シリサイド半導体 |
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| 研究成果の概要 |
Si基板上に形成した遷移金属を内包するSi籠状クラスター凝集膜は、Si結合ネットワークを持ちながら、クラスター構造に起因して、超高密度キャリアドーピングなど、これまでのSi材料科学では実現できない、新しい物性を持つ。本研究では、産業応用を見据えた製膜方法で遷移金属内包Siクラスター膜を作製するプロセスを確立し、クラスター膜の新規物性を活かして、クラスター膜を金属電極とSi基板の間に挟み込むことで接触電気抵抗を大きく低減する技術を中心に、ナノエレクトロニクスの革新的な要素技術を開発した。
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