| 研究課題/領域番号 |
15K13963
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
末光 哲也 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (90447186)
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| 研究分担者 |
松岡 隆志 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (40393730)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / パワーデバイス / トランジスタ / SCAM基板 |
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| 研究成果の概要 |
劈開にて形成した新鮮なScAlMgO4（以下SCAM）基板c面にGaN HEMT構造を有機金属気相成長法によって成長した。c軸に対してオフ角を付けて研磨したSCAM基板を用いて、サファイア基板に成長したものと同等の平坦性を有するHEMT層を得た。GaN HEMT作製プロセスでは、中性粒子ビームエッチングをGaN系半導体に初めて適用し、プラズマ損傷に起因する電流コラプスの低減への効果を確認した。縦型トランジスタ形成の要素技術の一つとして、SCAM基板の劈開によるGaN層の剥離技術を検討し、厚膜GaNが結晶成長後の冷却過程に基板から自然剥離する現象を確認した。
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