| 研究課題/領域番号 |
15K13967
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
平本 俊郎 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)
|
|---|
| 連携研究者 |
小林 正治 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (40740147)
更屋 拓哉 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (90334367)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
|
|---|
| キーワード | 半導体物性 / 大規模集積回路 / MOSFET / ナノワイヤトランジスタ / しきい値電圧自己調整 / MOSトランジスタ / 規模集積回路 |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究では，超低電圧で動作するナノワイヤトランジスタを実現することを目的に，研究代表者が考案した浮遊ゲート構造による「しきい値自己調整機構」をシリコンナノワイヤトランジスタに応用した．この機構は，トランジスタのオン時にしきい値電圧Vthが自動的に下がり，オフ時にVthが自動的に上がることにより低電圧動作を可能とする機構である．試作したナノワイヤトランジスタのナノワイヤ幅は38nmの極めて細い．試作デバイスを評価した結果，しきい値自己調整が設計通り行われていることを確認した．また，0.1Vという極めて低い電圧においてもしきい値自己調整機構が働くことを確認した．
|
