| 研究課題/領域番号 |
15K13969
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
大見 俊一郎 東京工業大学, 工学院, 准教授 (30282859)
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| 研究協力者 |
前田 康貴
廣木 瑞葉
古山 脩
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2017年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 有機半導体 / 有機絶縁体 / 相補型トランジスタ / 界面制御 / 低仕事関数金属 / 微細化 / 集積化 / 疑似相補型トランジスタ / しきい値制御 / トップゲート構造 / 窒素添加六ホウ化ランタン / ペンタセン / ルブレン |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、トップゲート型単一有機半導体相補型トランジスタ(CMOS)の作製を目的として、低仕事関数金属界面制御層による有機半導体トランジスタ(OFET)の高性能化に関する検討を行った。まず、イッテルビウム界面制御層により、細線化ルブレン単結晶チャネルOFETを実現した。次に、リソグラフィにより非晶質ルブレンゲート絶縁膜を用いた微細トップゲート型ペンタセンOFETを実現した。最後に、窒素添加六ホウ化ランタン界面制御層により、大気中でのペンタセンへの電子注入と、しきい値電圧制御型単一有機半導体擬似CMOSの大気中動作に成功し、トップゲート型単一有機半導体CMOSの形成に関する指針を示した。
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