| 研究課題/領域番号 |
15K14104
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
金属物性・材料
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
須藤 祐司 東北大学, 工学研究科, 准教授 (80375196)
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| 連携研究者 |
安藤 大輔 東北大学, 大学院工学研究科, 助教 (50615820)
小池 淳一 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10261588)
齊藤 雄太 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員 (50738052)
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| 研究協力者 |
進藤 怜史 東北大学, 大学院工学研究科
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 相変化メモリ / 不揮発性メモリ / アモルファス / 結晶化 / 相変化 |
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| 研究成果の概要 |
次世代不揮発性メモリとして、アモルファス相と結晶相の電気抵抗差を利用した相変化メモリが注目されている。更なる大容量化を目指し、相変化メモリの多値記録化が期待されている。本研究では、二段階結晶化を示す相変化材料と一段階結晶化を示す相変化材料を積層する事により、2ビットの多値記録実現を目指した。Cu-Ge-Teについて、二段階結晶化過程を示す組成範囲を明確にした。その結果、23.4Cu-28.8Ge-47.8Te薄膜とGeTe薄膜の積層組み合わせにより、2ビット情報記録が可能である事が分かった。
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