| 研究課題/領域番号 |
15K14299
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
エネルギー学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
宮島 晋介 東京工業大学, 工学院, 准教授 (90422526)
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| 研究分担者 |
宮崎 尚 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 助教 (30531991)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2017年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | Cu2O / 電気化学製膜 / 光電変換 / 水分解 / ドーピング / 水素生成 / pn接合 |
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| 研究成果の概要 |
水分解による水素生成素子への応用を目指し、Cu2Oホモ接合素子の開発を検討した。Cu2Oへの塩素ドーピングおよび製膜条件の調整によりn型Cu2Oの作製を検討したものの、明確なn型化を確認することができず、ホモ接合デバイスの作製を行うことはできなかった。ただし、p型Cu2Oの高品質化・素子化に関しては大きな進展が得られた。Cu2Oの電気化学製膜後に150℃で熱処理を行うことにより、正孔移動度が10倍以上増加することを明らかにした。この正孔移動度が向上したp型Cu2Oを用いてZnO/Cu2Oヘテロ接合素子の作製および評価を行った結果、移動度の向上に応じた長波長感度の向上が確認された。
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