| 研究課題/領域番号 |
15K17466
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
矢嶋 赳彬 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (10644346)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 酸化バナジウム / モット転移 / 金属絶縁体転移 / 相転移 / 電界効果トランジスタ / ショットキー接合 / 酸化物ヘテロ構造 / エピタキシャル界面 / 固体ゲート / 集団性 / モットトランジスタ |
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| 研究成果の概要 |
集積回路の消費電力を下げるため、より低電圧で動作するトランジスタの開発が急務となっている。本研究では酸化バナジウムの金属絶縁体転移を、電界トランジスタのチャネルに埋め込むことで、より急峻なスイッチングを可能にし、それによってトランジスタの低電圧化を行うことを目標とした。トランジスタのゲート電圧によって酸化バナジウムの金属絶縁体転移を誘起することに成功したほか、界面近傍の電子状態評価や、界面近傍とそれ以外の場所との電子的相互作用を詳細に調べることで、従来の電界効果トランジスタには見られない新しい動作メカニズムを解明した。
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