| 研究課題/領域番号 |
15K17495
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
量子ビーム科学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
藤井 剛 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員 (30709598)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 超伝導 / シリコン貫通電極 / X線検出器 / 超伝導トンネル接合 |
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| 研究成果の概要 |
超伝導トンネル接合（STJ）を用いたX線検出器は、シリコンドリフト検出器（SDD）などのエネルギー分散型X線検出器より高いエネルギー分解能を実現している。本研究では、1000素子を超えるSTJアレイ検出器が実現可能な素子構造の開発を行った。埋め込み超伝導配線構造上に1024素子STJアレイを作製し、1024素子の平均リーク電流12.2nAを実現した。銅を埋め込んだシリコン貫通電極（TSV）を作製した。直径60μmの貫通穴に銅を隙間なく埋め込むことが出来た。
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