超高sp3比率アモルファス炭素膜への重水素終端低欠陥化による電子応用の開創

• 研究課題/領域番号: 15K18038
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 赤坂 大樹 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80500983)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2017-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2016年度)
• 配分額: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円); 2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円); 2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: アモルファス炭素膜

研究成果の概要

同位体から構成されるFCVAアモルファス13C炭素膜を作製し，さらにこれら膜を用いてMIS型素子を作製し, 特性を評価した.FCVA法では一部のみを13Cとすると12Cとの界面抵抗により導入電流通過時の発熱により、良好な膜の堆積ができない。このため13CメタンよりCVD法で作製した膜を用いたMIS素子の特性より，その光吸収・起電力の評価から13Cの持つ電子状態が膜の電子特性に反映されていることが示唆された

研究成果

• [雑誌論文] Structure and physical properties of stable isotopic amorphous carbon films (2016)
  • 著者名/発表者名: Yutaro Suzuki, Yasuyoshi Kurokawa, Tsuneo Suzuki, Kazuhiro Kanda, Masahito Niibe, Masayuki Nakano, Naoto Ohtake, Hiroki Akasaka
  • 雑誌名: Diamond & Related Materials 巻: 63 ページ: 115-119
  • DOI: 10.1016/j.diamond.2015.10.024
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [学会発表] Deposition of the a-BCN:H film formed from tri-methylborazine (2016)
  • 著者名/発表者名: Nasa Kawagoshi, Masayuki Nakano, Tetsuya Yamamoto, Junko Hieda, Naoto Ohtake, Hiroki Akasaka
  • 学会等名: The 16th International Conference on Precision Engineering
  • 発表場所: Hamamatsu city, Shizuoka, Japan
  • 年月日: 2016-11-14
  • 国際学会
• [学会発表] 球へのダイヤモンド状炭素膜の形成 (2016)
  • 著者名/発表者名: 河越奈沙，大竹尚登， 赤坂大樹
  • 学会等名: Sustainable Tribology Conference 2016 AMAMI
  • 発表場所: 奄美山羊島ホテル 奄美市 鹿児島
  • 年月日: 2016-10-31
• [学会発表] Electrical properties of stable isotopic amorphous carbon films (2015)
  • 著者名/発表者名: Yutaro Suzuki, Yasuyoshi Kurokawa, Tsuneo Suzuki, Kazuhiro Kanda, Masahito Niibe, Masayuki Nakano, Naoto Ohtake, Hiroki Akasaka
  • 学会等名: The 2015 New Diamond and Nanocarbon conference (NDNC2015)
  • 発表場所: 静岡グランシップ
  • 年月日: 2015-05-25
  • 国際学会