| 研究課題/領域番号 |
15K21225
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
ナノマイクロシステム
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
村上 直 九州工業大学, 大学院情報工学研究院, 助教 (90443499)
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| 研究協力者 |
伊藤 高廣 九州工業大学, 大学院情報工学研究院, 教授 (10367401)
冨山 直人
力丸 真也
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 弾性表面波デバイス / 3次元溝構造 / 素子分離 / センサ / 微細加工 / ３次元溝構造 / 圧電マイクロデバイス / MEMS / ガスセンサ / センシングデバイス |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、複数種のガスを検知できる複数個のセンサ素子の配列（アレイ）のプラットフォーム構造（ガスを検知する感応膜を形成する前の共通構造）となる弾性表面波(SAW)デバイス素子を作製した。
さらに、それらの素子間を構造的に分離するための3次元溝構造も同一基板上に複数配置させた「3次元溝構造を有するSAWデバイス素子アレイ」の作製プロセスの確立、および、それらのデバイスの特性評価などにより、微小な分析用チャンバー内への配置に適したセンサアレイチップの実現につなげていくことを目的とした。
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