| 研究課題/領域番号 |
16F16373
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 高知工科大学 |
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研究代表者 |
川原村 敏幸 高知工科大学, システム工学群, 教授 (00512021)
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| 研究分担者 |
DANG GIANG 高知工科大学, システム工学部, 外国人特別研究員
DANG Tai Giang 高知工科大学, 総合研究所, 外国人特別研究員
DANG THAI GIANG 高知工科大学, 総合研究所, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2016-10-07 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
2018年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
2017年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2016年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
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| キーワード | Mist CVD / Ga2O3 / HEMT / heterostructures / (Al xGa1-x)2O3, / α-Cr2O3 / (Cr xGa1-x)2O3 / MODFETs / 高移動度トランジスタ(HEMT) / コランダム構造酸化物 / 超広バンドギャップ / ミストCVD / ヘテロ構造 / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / α-Ga2O3 / パワー素子 / ショットキー接合 |
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| 研究実績の概要 |
最終年度残り5ヶ月にα-(AlxGa1-x)2O3/α-(CrxGa1-x)2O3系HEMT作製を達成させる為、主にデバイス形成プロセスの構築を試みた。まずα-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜のパターン形成プロセスの選択や保護膜の選択と各種電極形成に関する研究を行った。α-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜の耐薬品性が非常に高く、そのパターン形成は困難であると考えられた。しかしながら、Ga2O3とAlとCrを混晶したGa2O3はそれぞれ異なる溶剤でエッチング(食刻)できる事を発見し、パターン形成プロセスを構築することが叶った。またショットキー電極としてRFスパッタリングを用いて形成したAgOがリフトオフプロセスによるパターン形成が可能かどうかを確認した。最終的にHEMT構造を形成し特性評価を行った。しかしながら、最適化までには至らなかった。
今後この2年間の研究を踏まえ、更に促進させていく予定である。
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| 現在までの達成度 (段落) |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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