| 研究課題/領域番号 |
16H03994
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
牧村 俊助 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 技師 (10391715)
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| 研究分担者 |
朴 峻秀 室蘭工業大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00418766)
佐藤 朗 大阪大学, 理学研究科, 助教 (40362610)
中里 直史 室蘭工業大学, 大学院工学研究科, 助教 (70714864)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2018年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2017年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2016年度: 10,920千円 (直接経費: 8,400千円、間接経費: 2,520千円)
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| キーワード | SiC材 / 標的材 / トリチウム / 熱衝撃 / 製造法 / 量子ビーム / 粒子標的 / SiC / 高エネルギー陽子 / 照射試験 / 複合材料 / 加速器標的 / 残留核種 / ミュオン / 二次粒子標的 / 炭化ケイ素 / 照射効果 |
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| 研究成果の概要 |
高エネルギー照射材料に関して、生成された放射能はモンテカルロ解析と整合性が取れていた。純SiC（CVD-SiC）材からトリチウムは1000℃まで放出されないが黒鉛材とNITE-SiC/SiCからは800℃から放出された。陽電子消滅法によって黒鉛では900℃で照射欠陥が回復するが、純SiC, NITE-SiC/SiCともに回復しない事と欠陥と水素原子の相関が判明した。
NITE-SiC/SiCへのCVD-SiC被覆が耐酸化性能を向上させる事を確認した。CERN HiRADMATでの熱衝撃試験で亀裂進展の抑制を確認した。
NITE-SiC/SiC材の円柱形状の標的模擬体を製造した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
NITE-SiC/SiC材の高エネルギー加速器標的としての使用の可能性に関して調査を行った。放射能の定量、トリチウム放出量は、保守時の取り扱いに対して大きな知見を与える。耐酸化性能の向上手法は、ビーム運転時の事故対策として有効であることを確認した。脆性材料であるSiCが複合材料化によって亀裂の進展を抑制することが確認できた。実際の標的形状を製作可能であることを確認した。
NITE-SiC/SiC材は高エネルギー加速器標的として有望であることが確認できた。
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