| 研究課題/領域番号 |
16H04343
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長汐 晃輔 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (20373441)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
2018年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2017年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2016年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
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| キーワード | ２次元層状材料 / トランジスタ / 絶縁膜堆積 / high-kゲート / h-BN / 2次元材料 / ゲート絶縁膜 / 2D材料 / 複合化 / 高誘電率 / 層状物質 / high-k絶縁膜 / ALD / 絶縁破壊 / 移動度 / 2次元層状半導体 / ゲートスタック |
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| 研究成果の概要 |
2次元層状チャネルのゲートスタック形成は，通常バッファー層を利用した原子層堆積装置で行うことが多いが，high-k本来の誘電率は得られておらず電気的信頼性の低さが問題であった．本研究では，酸素分離型蒸着装置を用いた2次元層状チャネル上High-k堆積において極薄膜下での誘電率の維持に成功し，グラフェン及びMoS2の安定なFET動作を達成した．また，2L MoS2 FETにおいて，巨大シュタルク効果による移動度の向上を観測した．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
2次元層状材料は，電子デバイス展開が期待されるが，原子層物質であるがゆえ環境に特性が敏感であり，本来の特性を得ることが難しいという問題がある．本研究では，ゲートスタックにおいて最も重要な絶縁膜堆積において酸素分離型蒸着装置を用いた特性劣化の少ない手法を開発した．今後のデバイス作製プロセスにおいて重要な役割を担うことが期待される．
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