| 研究課題/領域番号 |
16K04957
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
小倉 正平 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (10396905)
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| 研究協力者 |
福谷 克之
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 水素 / 水素吸蔵材料 / 表面 / 表面・界面物性 / 合金 / 光脱離 / シミュレーション |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではパラジウム金合金表面における水素の吸収・放出サイトを一酸化炭素の吸着を利用して明らかにすることを目的とした．一酸化炭素が水素の吸収・放出サイトをブロックすることを利用し，反射型赤外吸収分光により一酸化炭素の吸着サイトを明らかにし，水素の吸収・放出サイトを原子レベルで解明した．また昇温脱離スペクトルのシミュレーションと合わせて一酸化炭素が水素放出をブロックするメカニズムを明らかにした．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
水素の新しいエネルギーとしての利用には，水素の生成，純化，貯蔵，運搬などの過程が必要であり，純化と貯蔵の方法として水素吸蔵材料による水素吸収を利用した方法が研究されている．パラジウムは水素吸蔵材料の一つであるが，表面に吸着した分子により水素の吸収が阻害され，また水素の放出温度が室温以下であるという問題があった．本研究により水素吸収・放出における吸着分子の効果が明らかになり，表面制御による水素吸蔵材料の高性能化や分子の吸着・脱離を利用した水素放出温度の制御につながる重要な成果が得られた．
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