| 研究課題/領域番号 |
16K06035
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
Youn SungーWon 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (80510065)
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| 研究分担者 |
鈴木 健太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (60709509)
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| 研究協力者 |
廣島 洋
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2017年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2016年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | ナノインプリントリソグラフィ / モールド設計 / 残膜均一化 / 凝縮性ガス / モールド設計技術 / ナノマイクロ加工 |
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| 研究成果の概要 |
凝縮性ガスを用いる光ナノインプリント（UV-NIL）において、成形領域全域での高速充填や残膜均一化を可能にするリソグラフィ用モールドの設計技術の高度化を図った。リアルタイム観察システムを併用し、異なるサイズを有するマイクロ/ナノドットパターンに対しての充填挙動を調べ、1秒以内の高速充填を実証した。モールドパターンの容積均一化用補正パターンジェネレータモジュールを試作し、テストパターンに対して、パターン補正による容積均一化、チップスケール数値解析、実証実験を行い、残膜分布の標準偏差を1/3-1/5低減できることを示した。本研究で得られた結果をもとに、配線基板およびホログラムパターンを作製した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
リソグラフィ用モールドの設計技術が確立されていないことはUV-NILのデバイス作製への適用において大きな障害になっており、UV-NILの産業利用の観点から、適用範囲を拡張する本技術の重要性は非常に高い。本研究で得られた知見は、適用容積均一化モールドの設計に汎用的に用いることができ、産業界での適用が期待される。
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