| 研究課題/領域番号 |
16K06281
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 松江工業高等専門学校 (2017-2018)
神戸市立工業高等専門学校 (2016) |
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研究代表者 |
市川 和典 松江工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 (90509936)
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| 研究協力者 |
須田 善行
大島 多美子
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2018年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2017年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2016年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | グラフェン / ヘテロ接合 / 転写フリー / ハイブリッドデバイス / TFT / メモリ / トランジスタ / ヘテロデバイス / ハイブリッド型デバイス / 熱CVD / ナノ材料 / 半導体デバイス |
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| 研究成果の概要 |
通常グラフェンをデバイス化するにはシリコン基板への転写が必要である。しかしニッケルを酸化した後にグラフェンを合成すると、転写を必要としないデバイスの作製が可能である。
本研究期間において我々は、このデバイスは低いドレイン電圧ではトランジスタとして動作し、高いドレイン電圧ではメモリとして動作することを新たに発見した。このデバイスの室温での最大の電子移動度は5200cm2/Vs、ホール移動度は7200cm2/Vsであり、これは酸化しない場合の約2倍である。これらの結果から我々は、高濃度の酸化ニッケル上にグラフェンを合成することで高速で高性能なハイブリッド型グラフェンデバイスの作製に成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
現在は情報化社会を迎えており、今後もAIの発展からより情報量が増大し今以上に高速で情報処理をする必要がある。
本研究結果によって、これまで別々に作製されていたトランジスタとメモリはドレイン電圧によりその機能を使い分けることができるため、情報量によってその割合を変化させることができる新たな論理回路の設計が可能となる。これまでの窒化ガリウムに代表される新材料によるデバイスの高性能化から、今後新たな論理回路アプローチからの情報処理が可能となり意義のある研究だと言える。
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