| 研究課題/領域番号 |
16K06738
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
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研究代表者 |
田口 富嗣 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 東海量子ビーム応用研究センター, 上席研究員(定常) (50354832)
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| 研究分担者 |
井川 直樹 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 原子力科学研究所 物質科学研究センター, 研究主幹 (60354833)
朝岡 秀人 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 原子力科学研究所 先端基礎研究センター, 研究主幹 (40370340)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2016年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 炭化ケイ素 / ナノチューブ / イオン照射 / 透過型電子顕微鏡 / その場観察 / 電気特性評価 / ナノ材料 / セラミックス / 電子顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
透過型電子顕微鏡その場観察法を用いて、イオン照射によるSiCナノチューブの微細組織変化について検討した。その結果、室温照射におけるSiCナノチューブのアモルファス化に必要な照射量は、バルク材のそれと比べて3倍程と非常に大きく、耐照射特性に優れていることが分かった。また、700度照射において、バルク材とは異なり、照射量の増加と共に結晶面間隔が減少したが、体積は増加するという通常では理解できない挙動を示すことを初めて明らかにした。
さらに、SiCナノチューブの電気特性評価を行い、電流-電圧曲線が非直線的であるバリスタ特性を有することを明らかにした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
材料をナノメーターサイズにすることで、バルク材料とは異なった諸特性を持つことが期待されている。SiCは、元々、耐照射特性に優れている材料であることが知られているが、ナノチューブ化することで、さらに耐照射特性の向上が見込まれることを明らかにしたことは、工学的に重要な成果であるといえる。また、イオン照射により、SiCナノチューブがバルクSiCとは異なる微細組織変化を示すことを世界で初めて明らかにしたことは、学術的にも意義深いと考えている。
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