| 研究課題/領域番号 |
16K14377
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 (2017)
北海道大学 (2016) |
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研究代表者 |
片瀬 貴義 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (90648388)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2016年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 薄膜トランジスタ / 酸化・還元 / 電気化学 / 不揮発メモリ / 酸化物磁性体 / 酸化物エレクトロニクス / スピントロ二クス / 先端機能デバイス / セラミックス / 電子・電気材料 |
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| 研究成果の概要 |
室温で電気と磁気の信号を同時に不揮発制御可能な新機能スイッチング素子の開発を目的とし、含水多孔質ガラスをゲート絶縁体とする薄膜トランジスタ（TFT)構造を利用して、ペロブスカイト酸化物の酸素濃度を自在変調する薄膜固体デバイスの創製に挑戦した。SrCoOxを活性層に適用し、室温・大気中でゲート電圧を印加することで、反強磁性/絶縁体SrCoO2.5と強磁性/金属SrCoO3の不揮発な可逆制御に成功した。さらにナノピラー状アモルファスNaTaOx薄膜がNaOH水溶液を含んだアルカリ電解質として機能することを見出し、TFTのゲート絶縁体に用いることで僅か±3V、2－3秒での低電圧・高速動作に成功した。
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