| 研究課題/領域番号 |
16K18087
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
金澤 徹 東京工業大学, 工学院, 助教 (40514922)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2016年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | MOSFET / 化合物半導体 / MOCVD / マルチゲート / ナノシート / III-V族化合物 / MOSトランジスタ / マルチゲート構造 / 高移動度チャネル / 結晶成長 |
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| 研究成果の概要 |
超高速・低消費電力論理回路用素子を実現するための技術として、縦方向に積層されたInGaAs極薄膜をチャネルとするトランジスタの開発に取り組んだ。有機金属気相成長法による再成長で形成したソースドレインによって中空に保持されたInGaAsチャネルの形成プロセスを開発した。断面観察からは厚さ10 nm以下、幅100 nm以上という縦横比のナノシートが二層に積層された構造が実現されていることが分かった。ここに高誘電率ゲート絶縁膜とモリブデン電極からなるゲートスタック構造を形成し、トランジスタ素子の測定を行った。電流特性からは積層型ナノシート構造の優位性を示す結果が得られた。
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