| 研究課題/領域番号 |
16K18096
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
劉 江偉 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 独立研究者 (30732119)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2016年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | ダイヤモンド / 電界効果トランジスタ / MOSFET / Diamond / triple-gate / multi-gate / fin-type / field-effect transistor / Triple-gate / Fin-type |
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| 研究成果の概要 |
大面積の単結晶ダイヤモンドウェーハ不足の為に、ダイヤモンド電子デバイスのダウンスケーリングに必要がある。本研究では、水素終端ダイヤモンドトリプルゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。デバイスの電気的特性は、同一基板上に同時に製造されるプレーナ型MOSFETと比較される。トリプルゲートMOSFETの出力電流は、プレーナ型デバイスよりはるかに高く、オン/オフ比とサブスレッショルドスイングは10e8以上と110mV/decである。これらのダイヤモンドトリプルゲート電界効果トランジスタは、ダイヤモンド電子デバイスを実際応用に向けて推進することがある。
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