| 研究課題/領域番号 |
17H03237
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
王 冬 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 (10419616)
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| 研究分担者 |
中島 寛 九州大学, グローバルイノベーションセンター, 教授 (70172301)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
2019年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2018年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2017年度: 14,170千円 (直接経費: 10,900千円、間接経費: 3,270千円)
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| キーワード | Ge-光素子 / Ge-On-Insulator / Ge/絶縁膜界面 / 横方向発光・受光 / チップ内光配線 / 金属／半導体コンタクト / 金属/半導体コンタクト / 局所歪み |
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| 研究成果の概要 |
本研究は、一般的なスマートカット法を改善し、高品質なGe-On-Insulator（GOI）基板を作製した。過渡容量分光法を用いて、Ge/絶縁膜界面付近のBorderトラップの評価手法を確立し、Borderトラップの密度と空間分布を明らかにした。また、局所歪みの導入も調査した。以上の結果を基に、最適化したプロセスパラメータを抽出し、GOI基板上に発光・受光素子を作製した。さらに、GOI基板上に横方向発光・受光構造を作製し、発光・受光素子間の光通信機能を実証した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では、高品質なGOI基板を自前で試作し、他グループでは決して実現できないGOI基板上の光素子を高度化し、Ge-光素子の性能の飛躍的向上を図った。更に、局所歪み導入・結晶欠陥制御、Ge/絶縁膜界面の理解と制御、デバイス試作等の幅広い見地から研究を推進し、光デバイス工学、半導体工学に大きく寄与したと考えている。開発した高性能GOI発光・受光素子の基盤技術は、超スマート社会の実現に貢献できるものと期待できる。
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