| 研究課題/領域番号 |
17K05043
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 青山学院大学 |
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研究代表者 |
黄 晋二 青山学院大学, 理工学部, 教授 (50323663)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2017年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | グラフェン / CVD / イリジウム / 基板再利用 / 化学気成長 / CVD成長 / ホール測定 / キャリア移動度 / CVD法 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、２次元シート材料であるグラフェンの化学気相成長（CVD）に使用する下地基板として高融点で高い化学的安定を有するイリジウムに着目した。単結晶サファイア基板上にエピタキシャル成膜した単結晶性イリジウム下地の上に単結晶のグラフェンをCVD成長する技術を開発する試みである。イリジウム上に成長させたグラフェン膜は、電気化学転写法によって別の絶縁性基板表面に転写するが、我々は、グラフェンを剥がしたイリジウム／サファイア基板を再度CVD成長に使用できることを見出した。本研究では、イリジウム／サファイア基板の再利用性について詳細に調べ、回数制限なしに再利用する技術を確立した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では、高い再利用性を持つ単結晶イリジウム／サファイア基板の作製技術を確立することができた。これをさらに研究展開し、単結晶イリジウム下地上に完全な単結晶性を持つグラフェンをCVD成長する技術が確立できれば、グラフェンの物性を100%活用できる単結晶グラフェンシートを大面積でCVD成長する技術へとつながる。サファイア基板は現状で最大6インチであり、かつ、本研究で基板再利用技術が確立されたことから、6インチのグラフェンシートを同一基板上に何回でもCVD成長させることができる技術、すなわち、高品質なグラフェンシートを大量生産する技術へと展開できる。
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