| 研究課題/領域番号 |
17K06795
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90327320)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2019年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2018年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2017年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 窒化アルミニウム / 溶液成長 / 窒化物半導体 / テンプレート基板 / 結晶成長 / 結晶工学 |
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| 研究成果の概要 |
AlGaN深紫外LED用のAlN/サファイアテンプレートの新規作製方法を提案した。具体的には、（１）サファイア基板上へのAl厚膜の堆積、（２）Li3N粉末の塗布、（３）アニールによる自己組織化AlN結晶薄膜の創製を行った。実験により、アニール温度および原料組成の最適化を行った。実験により（Ａ）ステップ２で塗布する原料はLi3N粉末のみでなくAl粉末との混合粉末とする必要があること、（Ｂ）アニール温度は１２５０℃付近が最適であることを明らかにした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
深紫外の高輝度光源、特に発光波長260nm以下の光源は細菌のDNA破壊に有効なため殺菌・浄水用光源として利用されている。現状では水銀灯タイプの光源が用いられているが、環境負荷の低減および小型化の観点から代替となるAlGaN深紫外LED（Light Emitting Diode）の開発が進められている。しかし、AlGaN深紫外LED素子の基板材料には昇華法あるいはHVPE法により作製された高価なAlN結晶または厚膜が用いられているため、低コスト化が困難である。本研究では、素子の低コスト化に資するAlN/サファイアテンプレートの新規作製方法を提案した。
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