研究課題/領域番号 |
17K18866
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研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
電気電子工学およびその関連分野
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
平本 俊郎 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)
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研究期間 (年度) |
2017-06-30 – 2019-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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配分額 *注記 |
6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2018年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2017年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
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キーワード | MOSFET / 大規模集積回路 / 特性ばらつき / SRAM / 低電圧 |
研究成果の概要 |
本研究の目的は,大規模集積回路(VLSI)の超低エネルギー化を目指し,超低電圧で動作するVLSIを実現するための挑戦的基礎研究を行うことである.本研究では,スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)において,ストレス電圧を複数回印加し特性ばらつきを自己収束させる方法を提案した.SRAMにストレス電圧を印加すると,しきい値電圧Vthがもともと低いトランジスタのVthが上昇し,セルの安定性が「自己収束」する.実験の結果,情報保持エラーが発生する最低電圧を下げることに成功した.この自己収束機構により,SRAMセルを従来より低電圧で動作させることができることが明らかとなった.
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
大規模集積回路(VLSI)の課題の一つは消費電力の削減であり,そのほぼ唯一の方法は電源電圧の低減である.ところが,VLSIを構成する微細トランジスタの特性ばらつきのため電源電圧の低減は困難であった.本研究で提案した自己収束機構により,SRAMと呼ばれるメモリの電源電圧が下げられることが明らかとなった.本研究は将来のVLSIの低消費電力化に繋がる成果である.
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