| 研究課題/領域番号 |
17K19145
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機・錯体化学、分析化学およびその関連分野
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
栗田 僚二 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 生命工学領域, 研究グループ長 (50415676)
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| 研究分担者 |
冨田 峻介 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 生命工学領域, 主任研究員 (50726817)
南 豪 東京大学, 生産技術研究所, 講師 (70731834)
南木 創 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 生命工学領域, 研究員 (40793980)
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| 研究期間 (年度) |
2017-06-30 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2018年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2017年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | エピジェネティクス / トランジスタ / バイオセンサ / 有機FET / ヒストン |
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| 研究成果の概要 |
ヒストンの化学修飾を生体分子間相互作用として解析するため、有機薄膜FETデバイスの開発を行いエピジェネティクスセンサとして分子生物学や疾病診断、発症・進行予測ツールとしての可能性を見出すことである。各種ガン細胞の培養をおこない、培地中成分の多変量解析として、タンパク質の定性ならびに半定量実験をおこない、ヒストン修飾への足がかりとした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
近年、ゲノムDNAやヒストンの後天的な化学修飾（エピジェネティクス）と疾病に関する多くの研究がなされており、様々な疾患とエピジェネティックな化学修飾との間に統計的な相関があることは誰もが認めるところである。しかしながら、多岐にわたるヒストン修飾を網羅的に測定する技術が無かった。我々は、ヒストンを含む測定対象溶液を滴下するだけで各種ヒストンの修飾状態を迅速に直接解析可能な有機FETデバイスの開発を行い、がん化等のエピゲノム異常検知、さらには発症・進行予測に向けた基礎・基盤技術を得ることができた。
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