| 研究課題/領域番号 |
18063002
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
田中 徹 東北大学, 大学院・医工学研究科, 教授 (40417382)
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| 研究分担者 |
福島 誉史 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10374969)
裴 艶麗 (ペイ ヤンリ) 東北大学, 国際高等研究教育機構, 助教 (70451622)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
41,100千円 (直接経費: 41,100千円)
2009年度: 4,800千円 (直接経費: 4,800千円)
2008年度: 7,300千円 (直接経費: 7,300千円)
2007年度: 12,400千円 (直接経費: 12,400千円)
2006年度: 16,600千円 (直接経費: 16,600千円)
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| キーワード | 半導体超微細化 / 量子ドット / 電子デバイス・集積回路 / 半導体物性 / ナノ材料 / 不揮発性メモリ / High-K絶縁膜 / 不挿発性メモリ |
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| 研究概要 |
Self-Assembled Nanodot Deposition法を用いて、超微細(~1.5nm)・高密度(1.3x10^<13>/cm^2)の世界トップレベルの金属ナノドットの形成に成功した。制御ゲート用High-k絶縁膜と金属ナノドットフローティングゲートを有する不揮発性メモリの作製にも成功し、大きな仕事関数を有するコバルトナノドットによって、長い電荷保持時間・優れた耐久性・大きなメモリウィンドウを得た。また、ポテンシャル変調ゲートスタックを有する多層金属ナノドットメモリの基本動作検証に成功した。
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