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金属ナノドット不揮発性メモリのナノインテグレーション

研究課題

研究課題/領域番号 18063002
研究種目

特定領域研究

配分区分補助金
審査区分 理工系
研究機関東北大学

研究代表者

田中 徹  東北大学, 大学院・医工学研究科, 教授 (40417382)

研究分担者 福島 誉史  東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10374969)
裴 艶麗 (ペイ ヤンリ)  東北大学, 国際高等研究教育機構, 助教 (70451622)
研究期間 (年度) 2006 – 2009
研究課題ステータス 完了 (2009年度)
配分額 *注記
41,100千円 (直接経費: 41,100千円)
2009年度: 4,800千円 (直接経費: 4,800千円)
2008年度: 7,300千円 (直接経費: 7,300千円)
2007年度: 12,400千円 (直接経費: 12,400千円)
2006年度: 16,600千円 (直接経費: 16,600千円)
キーワード半導体超微細化 / 量子ドット / 電子デバイス・集積回路 / 半導体物性 / ナノ材料 / 不揮発性メモリ / High-K絶縁膜 / 不挿発性メモリ
研究概要

Self-Assembled Nanodot Deposition法を用いて、超微細(~1.5nm)・高密度(1.3x10^<13>/cm^2)の世界トップレベルの金属ナノドットの形成に成功した。制御ゲート用High-k絶縁膜と金属ナノドットフローティングゲートを有する不揮発性メモリの作製にも成功し、大きな仕事関数を有するコバルトナノドットによって、長い電荷保持時間・優れた耐久性・大きなメモリウィンドウを得た。また、ポテンシャル変調ゲートスタックを有する多層金属ナノドットメモリの基本動作検証に成功した。

報告書

(6件)
  • 2009 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2008 実績報告書   自己評価報告書 ( PDF )
  • 2007 実績報告書
  • 2006 実績報告書
  • 研究成果

    (88件)

すべて 2010 2009 2008 2007 2006 その他

すべて 雑誌論文 (36件) (うち査読あり 31件) 学会発表 (48件) 図書 (3件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei, C. Yin, T. Kojima, J. Bea, H. Kino, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nanotechnology (in press)

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Investigation of Effects of Post-Deposition Annealing on Cobalt Nanodots Embedded in Silica for Nonvolatile Memory Application2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei, T. Kojima, T. Hiraki, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics (in print)

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of Postdeposition Annealing on Cobalt Nanodots Embedded in Silica for Nonvolatile Memory Application2010

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Toshiya Kojima, Tatsuro Hiraki, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics (未定, 印刷中)

    • NAID

      40017176042

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical Characterization of MOS Memory Devices with Self-Assembled Tungsten Nano-Dots Dispersed in Silicon Nitride2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei, C. Yin, M. Nishijima, T. Kojima, H. Nohira, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      ECS Trans. 18

      ページ: 33-37

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [雑誌論文] Memory Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor with High Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei, C. Yin, T. Kojima, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letter 95

      ページ: 33118-33118

    • NAID

      120003728303

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] MOSFET Nonvolatile Memory with High Density Tungsten Nanodots Floating Gate Formed by Self-Assembled Nanodot Deposition2009

    • 著者名/発表者名
      Y Pei, C Yin, J C Bea, H Kino, T Fukushima, T Tanaka, M Koyanagi
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology 24

      ページ: 45022-45022

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書 2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei, C. Yin, M. Nishijima, T. Kojima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letter 94

      ページ: 63108-63108

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Cell characteristics of a multiple alloy nano-dots memory structure2009

    • 著者名/発表者名
      J. Bea, Y. Song, K. Lee, G. Lee, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology 24

      ページ: 85013-85013

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A Reliable Nonvolatile Memory Using Alloy Nanodot Layer with Extremely High Density2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Song, J. Bea, K. Lee, G. Lee, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48

      ページ: 106505-106505

    • NAID

      40016796078

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characteristics of copper spiral inductors utilizing FePtnano-dots film2009

    • 著者名/発表者名
      W. -C. Jeong, K. Kiyoyama, K. -W. Lee, A. Noriki, M. Murugesan, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.48,No.4

    • NAID

      210000066668

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical Characterization of MOS Memory Devices with Self-Assembled Tungsten Nano-Dots Dispersed in Silicon Nitride2009

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Chengkuan Yin, Masahiko Nishijima, Toshiya Kojima
    • 雑誌名

      The Electrochemical Society Transactions 18

      ページ: 33-37

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [雑誌論文] Memory Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor with High Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2009

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Chengkuan Yin, Toshiya Kojima, Masahiko Nishijima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95

      ページ: 33118-33118

    • NAID

      120003728303

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Chengkuan Yin, Masahiko Nishijima, Toshiya Kojima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 94

      ページ: 63108-63108

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Cell characteristics of a multiple alloy nano-dots memory structure2009

    • 著者名/発表者名
      Ji Chel Bea, Yun Heub Song, Kang-Wook Lee, Gae-Hun Lee, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology 24

      ページ: 85013-85013

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A Reliable Nonvolatile Memory Using Alloy Nanodot Layer with Extremely High Density2009

    • 著者名/発表者名
      Yun Heub Song, Ji Chel Bea, Kang Wook Lee, Gae-Hun Lee, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48

      ページ: 106505-106505

    • NAID

      40016796078

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characteristics of copper spiral inductors utilizing FePtnano-dots film2009

    • 著者名/発表者名
      W.-C.Jeong, K.Kiyoyama, K.-W.Lee, A.Noriki, M.Murugesan, T.Fukushima, T.Tanaka, M.Koyanagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48

    • NAID

      210000066668

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Chengkuan Yin, Masahiko Nishijima, Toshiya Kojima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 94

      ページ: 63108-63108

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of high density tungsten nanodots embedded in silicon nitride for nonvolatile memory application2009

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 94

      ページ: 63108-63110

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] MOSFET nonvolatile memory with a high-density tungsten nanodot floating gate formed by self-assembled nanodot deposition2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology 24

      ページ: 45022-45025

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] "Electrical Characterization of Metal-Oxide-Semiconductor Memory Devices with High-Density Self-Assembled Tungsten Nanodots2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 47

      ページ: 2680-2683

    • NAID

      210000064565

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Memory characteristics of self-assembled tungsten nanodots dispersed in silicon nitride2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letter 93

      ページ: 113115-113117

    • NAID

      120002338347

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Investigation of the effect of in situ annealing of FePt nanodots under high vacuum on the chemical states of Fe and Pt by x-ray photoelectron spectroscopy2008

    • 著者名/発表者名
      M. Murugesan, J.C. Bea, C. -K. Yin, H. Nohira, E. Ikenaga, T. Hattori, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Miyao, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 104

      ページ: 74316-74316

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Memory characteristics of self-assembled tungsten nanodots dispersed in silicon nitride2008

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Masahiko Nishijima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 93

      ページ: 113115-113117

    • NAID

      120002338347

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical Characterization of Metal-Oxide-Semiconductor Memory Devices with High-Density Self-Assembled Tungsten Nanodots2008

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2680-2683

    • NAID

      210000064565

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical Characterization of MetalOxideSemiconductor Memory Devices with High-Density Self-Assembled Tungsten Nanodots2008

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 47

      ページ: 2680-2683

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Memory characteristics of self-assembled tungsten nanodots dispersed in silicon nitride2008

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 93

      ページ: 113115-113117

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Investigation of the effect of in situ annealing of FePt nanodots under high vacuum on the chemical states of Fe and Pt by x-ray photoelectron spectroscopy2008

    • 著者名/発表者名
      M. Murugesan
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 104

      ページ: 74316-74320

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical Characterization of Metal-Oxide-Semiconductor Memory Devices with High-Density Self-Assembled Tungsten Nanodots2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics (印刷中)

    • NAID

      210000064565

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] New Magnetic Nanodot Memory with FePt Nanodots2007

    • 著者名/発表者名
      C. Yin, M. Murugesan, J. Bea, M. Oogane, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Miyao, S. Samukawa, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 2167-2171

    • NAID

      10022547399

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] New Magnetic Nanodot Memory with FePt Nanodots2007

    • 著者名/発表者名
      C-K. Yin
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.46

      ページ: 2167-2171

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of Ion Implantation Damage on Elevated Source/Drain Formation for Ultrathin Body Silicon on Insulator Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor2006

    • 著者名/発表者名
      K. Oh, T. Sakaguchi, T. Fukushima, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45

      ページ: 2965-2969

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nickel Germanide Formation on Condensed Ge Layer for Ge-on-Insulator Device Application2006

    • 著者名/発表者名
      H. Choi, M. Park, T. Fukushima, M. Koyanagki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 2984-2986

    • NAID

      10022542578

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Analysis of GOI-MOSFET with High-k Gate Dielectric and Metal Gate Fabricated by Ge Condensation Technique2006

    • 著者名/発表者名
      M. Park, J. Bea, T. Fukushima, M. Koyanagi
    • 雑誌名

      Surface and Interface Analysis 38,12-13

      ページ: 1720-1724

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of Ion Implantation Damage on Elevated Source/Drain Formation for Ultrathin Body Silicon on Insulator Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor2006

    • 著者名/発表者名
      Kycukjae Oh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 2965-2969

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Nickel Germanide Formation on Condensed Ge Layer for Ge-on-Insulator Device Application2006

    • 著者名/発表者名
      Hoon Choi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 2984-2986

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Analysis of GOI-MOSFET with High-k Gate Dielectric and Metal Gate Fabricated by Ge Condensation Technique2006

    • 著者名/発表者名
      Mungi Park
    • 雑誌名

      Surface and Interface Analysis 38

      ページ: 1720-1724

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [学会発表] Formation of Cobalt Nanodots Embedded in Silicon Oxide for Nonvolatile Memory Application2010

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Tatsuro Hiraki, Toshiya Kojima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      China Semiconductor Technology International Conference 2010 (CSTIC2010)
    • 発表場所
      Shanghai, China.
    • 年月日
      2010-03-19
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] A study of Charge Retention Characteristics of Metal Nanodots Memory2010

    • 著者名/発表者名
      開達郎, 裴艶麗, 小島俊哉, 〓志哲, 木野久志, 福島誉史, 小柳光正, 田中徹
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会2010年春季
    • 発表場所
      神奈川県平塚市東海大学
    • 年月日
      2010-03-17
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Formation of Cobalt Nanodots Embedded in Silicon Oxide for Nonvolatile Memory Application2010

    • 著者名/発表者名
      裴艶麗, 開達郎, 小島俊哉, 福島誉史, 田中徹, 小柳光正
    • 学会等名
      China Semiconductor Technology International Conference(CSTIC2010)
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] A study of Charge Retention Characteristics of Metal Nanodots Memory2010

    • 著者名/発表者名
      開達郎, 裴艶麗, 小島俊哉, 〓志哲, 木野久志, 福島誉史, 小柳光正, 田中徹
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会2010年春季
    • 発表場所
      東海大学
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] High-Performance MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric2009

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Chengkuan Yin, Toshiya Kojima, Ji-Cheol Bea, Hisashi Kino, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      10th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2009)
    • 発表場所
      Portland, OR, USA.
    • 年月日
      2009-10-27
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] メタルナノドットメモリの電荷保持特性に関する研究2009

    • 著者名/発表者名
      開達郎, 裴艶麗, 小島俊哉, 〓志哲, 木野久志, 福島誉史, 田中徹, 小柳光正
    • 学会等名
      第70回応用物理学関係連合講演会2009年秋季
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書 2009 研究成果報告書
  • [学会発表] High-k絶縁膜を有するタングステンナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性2009

    • 著者名/発表者名
      裴艶麗, 西嶋雅彦, 福島誉史, 田甲徹, 小柳光正
    • 学会等名
      第69回応用物理学関係連合講演会2008年秋季
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2009-09-03
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Synthesis and characterization of magnetic nano-dots for on-chip inductors2009

    • 著者名/発表者名
      M. Murugesan, W. -C. Jeong, K. Kiyoyama, K. -W. Lee, J. -C. Bea, C. -K. Yin, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 学会等名
      第56回応用物理学会学術講演会2009年春季
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-04-02
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Synthesis and characterization of magnetic nano-dots for on-chip inductors2009

    • 著者名/発表者名
      M.Murugesan, W.-C.Jeong, K.Kiyoyama, K.-W.Lee, J.-C.Bea, C.-K.Yin, T.Fukushima, T.Tanaka, M.Koyanagi
    • 学会等名
      第56回応用物理学会学術講演会 2009年春季
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-04-02
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] New Magnetic Nano-Dots Nonvolatile Memory with Resonant Magnetic Tunneling Effect2009

    • 著者名/発表者名
      JiChel Bea, M. Murugesan, C. -K. Yin, H. Kino, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      第56回応用物理学会学術講演会2009年春季
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-04-01
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] New Magnetic Nano-Dots Nonvolatile Memory with Resonant Magnetic Tunneling Effect2009

    • 著者名/発表者名
      JiChel Bea, M.Murugesan, C.-K.Yin, H.Kino, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      第56回応用物理学会学術講演会 2009年春季
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-04-01
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] A Co-Nanodots Nonvolatile Memory with High-k Blocking Oxide for Implantable Biomedical Devices2009

    • 著者名/発表者名
      C.K. Yin, Y.L. Pei, T. Kojima, T. Fukushima, M. Koyanagi, T. Tanaka
    • 学会等名
      9th International Symposium on Nano-Biomedical Engineering
    • 発表場所
      Sendai, Japan.
    • 年月日
      2009-03-28
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Electrical Characterization of MOS Memory Devices with Self-assembled Tungsten Nano-dots Dispersed in Silicon Nitride2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei, C. Yin, M. Nishijima, T. Kojima, H. Nohira, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 学会等名
      ISTC/CSTIC 2009
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • 年月日
      2009-03-19
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Electrical Characterization of MOS Memory Devices with Self-assembled Tungsten Nano-dots Dispersed in Silicon Nitride2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei
    • 学会等名
      International Semiconductor Technology Conference & China Semiconductor Technology International Conference 2009
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • 年月日
      2009-03-19
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] High-Performance MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric2009

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Chengkuan Yin, Toshiya Kojima, Ji-Cheol Bea, Hisashi Kino, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      10^<th> Non-Volatile Memory Technology Symposium(NVMTS 2009)
    • 発表場所
      Portland, OR, USA
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Study of Power Supply System for Fully Implantable Retinal Prosthesis Chip2009

    • 著者名/発表者名
      Woo-Cheol Jeong
    • 学会等名
      9th International Symposium on Nano-Biomedical Engineering
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] A Co-Nanodots Nonvolatile Memory with High-k Blocking Oxide for Implantable Biomedical Devices2009

    • 著者名/発表者名
      C. K. Yin
    • 学会等名
      9th International Symposium on Nano-Biomedical Engineering
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Characteristics of Magnetic Film Inductors with FePt Nano-Dots2008

    • 著者名/発表者名
      W. -C. Jeong, K. Kiyoyama, M. Murugesan, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 学会等名
      The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2008-09-26
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Characteristics of Magnetic Film Inductors with FePt Nano-Dots2008

    • 著者名/発表者名
      W.-C. Jeong
    • 学会等名
      The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materiqls
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2008-09-26
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Memory Characterization of MOS Memory Device with High Density Self-Assembled Tungsten Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2008

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Masahiko Nishijima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2008-09-25
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Memory Characterization of MOS Memory Device with High Density Self-Assembled Tungsten Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2008

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Masahiko Nishijima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan.
    • 年月日
      2008-09-25
    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
  • [学会発表] Memory Characterization of MOS Memory Device with High Density Self-Assembled Tungsten Nanodots Floating Gate and HfO2 Blocking Dielectric2008

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei
    • 学会等名
      The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2008-09-24
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] High-k絶縁膜を有するタングステンナノドットフローティングゲートMOS'キャパシタのメモリ特性2008

    • 著者名/発表者名
      裴艶麗
    • 学会等名
      第69回応用物理学関係連合講演会2008年秋季
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] New Non-Volatile Memory with Magnetic Nano-Dots Floating Gate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyanagi, T. Tanaka
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Tera-bit-level Non-volatile Memories
    • 発表場所
      Korea
    • 年月日
      2008-08-29
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] New Non-Volatile Memory with Magnetic Nano-Dots Floating Gate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Koyanagi
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Tera-bit-level Nonvolatile Memories
    • 発表場所
      Korea Seoal
    • 年月日
      2008-08-29
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Characterization of Metal Nanodots Nonvolatile Memory2008

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Masahiko Nishijima, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2008-06-10
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Characterization of Metal Nanodots Nonvolatile Memory2008

    • 著者名/発表者名
      裴艶麗
    • 学会等名
      電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      東京大学
    • 年月日
      2008-06-10
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] FM/I/Nano-Dot FM構造でのスピン電子の磁気トンネル効果2008

    • 著者名/発表者名
      〓志哲, Murugesan Mariappan, Cheng KuanYin, 福島誉史, 田中徹, 寒川誠二, 河野省三, 佐道泰造, 宮尾正信, 名取研二, 小柳光正
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会2008春季
    • 発表場所
      日本大学
    • 年月日
      2008-03-30
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] シリコン窒化膜中に埋め込んだタングステンナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性2008

    • 著者名/発表者名
      裴艶麗, 福島誉史, 田中徹, 小柳光正
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会2008年春季
    • 発表場所
      日本大学
    • 年月日
      2008-03-27
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Term Retention Characteristics of MOS Memory Devices with Self-Assembled Tungsten Nano-Dot Dispersed in Silicon Nitride2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Koyanagi
    • 学会等名
      MRS 2008 Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA.
    • 年月日
      2008-03-25
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Study of electromagnetic inductor for power delivery to three-dimensional retinal prosthesis system2008

    • 著者名/発表者名
      Woo-Cheol Jeong
    • 学会等名
      GPBE/NUS-Tohoku Graduate Student Conference in Bioengineering
    • 発表場所
      Singapore, Mational Universiey of lingapore
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Term Retention Characteristics of MOS Memory Devices with Self-Asse mbled Tungsten Nano-Dot Dispersed in Silicon Nitride2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei
    • 学会等名
      MRS 2008 Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] シリコン窒化膜中に埋め込んだタングステンナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性2008

    • 著者名/発表者名
      裴艶麗
    • 学会等名
      第55回応用物理学会学術講演会2008春
    • 発表場所
      日本大学,日本
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] FePtを用いた磁気MOSキャパシタのC-V特性2008

    • 著者名/発表者名
      M. Murugesan
    • 学会等名
      第55回応用物理学会学術講演会2008春
    • 発表場所
      日本大学,日本
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] FM/I/Nano-Dot FM構造でのスピン電子の磁気トンネル効果2008

    • 著者名/発表者名
      〓志哲
    • 学会等名
      第55回応用物理学会学術講演会2008春
    • 発表場所
      日本大学,日本
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Investigation of FePt Nano-Dots Fabricated by Self-Assembled Nano-Dot Deposition Method Using X-ray Photoelectron Spectroscopy2007

    • 著者名/発表者名
      M. Murugesan, J.C. Bea, C-K. Yin, H. Nohira, E. Ikenaga, T. Hattori, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Miyao, M. Koyanagi
    • 学会等名
      The 2007 International Conference on Solid State Device and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2007-09-21
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書 2007 実績報告書
  • [学会発表] Memory Window Enhancement of MOS Memory Devices with High Density Self-Assembled Tungsten Nano-dot2007

    • 著者名/発表者名
      Yanli Pei, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      The 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan.
    • 年月日
      2007-09-19
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Evaluation of FePt nano-dots by X-ray photoelectron spectroscopy2007

    • 著者名/発表者名
      M. Murugesan, J.C. Bea, C. -K. Yin, H. Nohira, E. Ikenaga, T. Hattori, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Miyao, M. Koyanagi
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会2007秋
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-07
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] 金属ナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性2007

    • 著者名/発表者名
      裴艶麗, 福島誉史, 田中徹, 小柳光正
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会2007秋
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-06
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Magnetic characteristics of FePt nanodots formed by a self-assembled nanodot deposition method2007

    • 著者名/発表者名
      C.K. Yin, H. Choi, J.C. Bea, M. Murugesan, J.H. Yoo, T. Fukushima, Y. Murakami, T. Tanaka, D. Shindo, M. Miyao, M. Koyanagi
    • 学会等名
      NSTI Nanotech 2007 10th Annual
    • 発表場所
      Santa Clara, USA.
    • 年月日
      2007-03-23
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Fabrication of Magnetic Tunnel Junction with FePt Nanodots for Magnetic Nanodot Memory2007

    • 著者名/発表者名
      Cheng-Kuan Yin, Mariappan Murugesan, Ji-Chel Bea, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      The 6th International Semiconductor Technology Conference (ISTC 2007) (Invited speech)
    • 発表場所
      Shanghai, China.
    • 年月日
      2007-03-19
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Fundamental Microstructure and Magnetic Properties of Self-Assembled FePt Nano-Dot Film Annealed by using Magnetic Field Annealing2007

    • 著者名/発表者名
      J.C. Bea, M. Murugesan, C. -K. Yin, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Miyao, M. Koyanagi
    • 学会等名
      The Fifth Nanotechnology Symposium, JAPAN NANO 2007
    • 発表場所
      Tokyo, Japan.
    • 年月日
      2007-02-20
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Characteristics of Metal Gate GOI-MOSFET with High-k Gate Dielectric Fabricated by Ge Condensation Method2007

    • 著者名/発表者名
      Woo-Cheol Jeong, Mungi Park, Takafumi Fukushima, Tetsu Tanaka, Mitsumasa Koyanagi
    • 学会等名
      Pusan-Tohoku "21COE" Joint Workshop on Mechanical Science based on Nanotechnology
    • 発表場所
      Pusan, Korea.
    • 年月日
      2007-01-08
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Magnetic characteristics of FePt nanodots formed by a self-assembled nanodot deposition method2007

    • 著者名/発表者名
      C-K. Yin
    • 学会等名
      NSTI Nanotech 2007 10th Annual
    • 発表場所
      Santa Clara, USA
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of Magnetic Tunnel Junction with FePt Nanodots for Magnetic Nanodot Memory2007

    • 著者名/発表者名
      C-K. Yin
    • 学会等名
      The 6th International Semiconductor Technology Conference (ISTC 2007)
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Memory Window Enhancement of MOS Memory Devices with High Density Self-Assembled Tungsten Nano-dot2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Pei
    • 学会等名
      The 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] 金属ナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性2007

    • 著者名/発表者名
      裴艶麗
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会2007秋
    • 発表場所
      北海道工業大学,日本
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Evaluation of FePt nano-dots by X-ray photoelectron spectroscopy2007

    • 著者名/発表者名
      M. Murugesan
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会2007秋
    • 発表場所
      北海道工業大学,日本
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [図書] "次世代半導体メモリーの最新技術", 第6章:その他のメモリー最新技術2009

    • 著者名/発表者名
      田中徹, 裴艶麗
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [図書] 次世代半導体メモリの最新技術",第6章第3節:金属ナノドット不揮発性メモリ2009

    • 著者名/発表者名
      田中 徹, 裴 艶麗
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
  • [図書] 次世代半導体メモリーの最新技術2009

    • 著者名/発表者名
      田中徹
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.sd.mech.tohoku.ac.jp/Site/Home.html

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書

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公開日: 2006-04-01   更新日: 2018-03-28  

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