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第一原理量子論によるナノデバイス材料・界面の物性予測

研究課題

研究課題/領域番号 18063003
研究種目

特定領域研究

配分区分補助金
審査区分 理工系
研究機関筑波大学

研究代表者

白石 賢二  筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (20334039)

研究分担者 押山 淳  東京大学, 工学系研究科, 教授 (80143361)
村口 正和  東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 教育研究補助者 (90386623)
岡田 晋  筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 准教授 (70302388)
山内 淳  慶応義塾大学, 理工学部, 講師 (90383984)
中山 隆史  千葉大学, 理学部, 教授 (70189075)
BOERO Mauro  筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 准教授 (40361315)
野村 晋太郎  筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 准教授 (90271527)
BERBER Savas  筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 助手 (90375402)
連携研究者 遠藤 哲郎  東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 教授 (00271990)
研究期間 (年度) 2006 – 2009
研究課題ステータス 完了 (2009年度)
配分額 *注記
50,600千円 (直接経費: 50,600千円)
2009年度: 13,400千円 (直接経費: 13,400千円)
2008年度: 13,400千円 (直接経費: 13,400千円)
2007年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
2006年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
キーワード第一原理計算 / 理論 / ナノ界面 / 新材料 / ナノサイエンス / 界面 / 半導体デバイス / ナノ物性 / 半導体 / MOSトランジスタ / 量子効果 / 炭素ナノチューブ
研究概要

4年間の研究において、(1)次元の異なるナノ構造間のトンネル現象の新しい物理描像の開拓、(2)書き込み/消去耐性が強いMONOS型メモリの設計指針の提案、(3)グラフェンを用いた電子構造の理論設計、(4)ナノキャパシタンスの量子効果の解明、(5)ショットキー障壁極限の破綻の理論的予言とその実験的検証、(6)シリコンナノ構造における有効質量の異常、(7)歪みチャネル層における原子空孔が電気伝導に与える影響、等多くののブレークスルーにつながる研究成果を得ることができた。

報告書

(6件)
  • 2009 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2008 実績報告書   自己評価報告書 ( PDF )
  • 2007 実績報告書
  • 2006 実績報告書
  • 研究成果

    (117件)

すべて 2010 2009 2008 2007 2006 その他

すべて 雑誌論文 (63件) (うち査読あり 49件) 学会発表 (53件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文]2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Sakurai, J-I Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 14001-14001

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A massively-parallel electronic-structure calculations based on real-space density functional theory2010

    • 著者名/発表者名
      J-I, Iwata, D. Takahashi, A. Oshiyama, T. Boku, K. Shiraishi, S. Okada, K. Yabana
    • 雑誌名

      J. Comp. Phys. 229

      ページ: 2339-2363

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A massively-parallel electronic-structure calculations based on real-space density functional theory2010

    • 著者名/発表者名
      J-I, Iwata
    • 雑誌名

      J.Comp.Phys 96

      ページ: 2339-2363

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anomalous temperature dependence of electron tunneling between a two-dimensional electron gas and Si dots2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Sakurai
    • 雑誌名

      Physica E 42

      ページ: 918-921

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Temperature Dependence of Electron Tunneling between Two Dimensional Electron Gas and Si Quantum Dots2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Sakurai
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 49

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical studies on the charge trap mechanism of MONOS type memories - Relationship between atomistic information and program/erase actions2009

    • 著者名/発表者名
      A. Otake, K. Yamaguchi, K. Kobayashi, K. Shiraishi
    • 雑誌名

      Microelectronic. Eng. 86

      ページ: 1849-1851

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Significant Change in Electronic Structures of Heme Upon Reduction by Strong Coulomb Repulsion between Fe d Electrons2009

    • 著者名/発表者名
      K. Kamiya, S. Yamamoto, K. Shiraishi, A. Oshiyama
    • 雑誌名

      J. Phys. Chem. B 113

      ページ: 6866-6872

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Transient current behavior through molecular bridge systems; effects of intra-molecule current on quantum relaxation and oscillation2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Tomita, T. Nakayama, H. Ishii
    • 雑誌名

      e-J. Surf. Sci. Nanotech. 7

      ページ: 606-616

    • NAID

      130004439158

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stability and Schottky barrier of silicides: First-principles study2009

    • 著者名/発表者名
      T. Nakayama, S. Sotome, S. Shinji
    • 雑誌名

      Microelectronic Eng. 86

      ページ: 1718-1721

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Atomistic origin of high-quality "novel SiON" gate dielectric2009

    • 著者名/発表者名
      K.Yamaguchi
    • 雑誌名

      MICROELECTRONIC ENGINEERING 86

      ページ: 1680-1682

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stability of Si impurity in high-kappa oxides2009

    • 著者名/発表者名
      N.Umezawa
    • 雑誌名

      MICROELECTRONIC ENGINEERING 86

      ページ: 1780-1781

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical studies on the charge trap mechanism of MONOS type memories-Relationship between atomistic information and program/erase actions2009

    • 著者名/発表者名
      A.Otake
    • 雑誌名

      MICROELECTRONIC ENGINEERING 86

      ページ: 1849-1851

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Significant Change in Electronic Structures of Heme Upon Reduction by Strong Coulomb Repulsion between Fe d Electrons2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kamiya
    • 雑誌名

      JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B 113

      ページ: 6866-6872

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effective-Work-Function Control by Varying the TiN Thickness in Poly-Si/TiN Gate Electrodes for Scaled High-k CMOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      M.Kadoshima
    • 雑誌名

      IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 30

      ページ: 466-468

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical study of the time-dependent phenomenon of photon-assisted tunneling through a charged quantum dot2009

    • 著者名/発表者名
      M.Muraguchi
    • 雑誌名

      JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 21

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Transient current behavior through molecular bridge systems ; effects of intra-molecule current on quantum relaxation and oscillation2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Tomita
    • 雑誌名

      e-J.Surf.Sci.Nanotech 7

      ページ: 606-616

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stability and Schottky barrier of silicides : First-principles study2009

    • 著者名/発表者名
      T.Nakayama
    • 雑誌名

      Microelectronic Eng 86

      ページ: 1718-1721

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electronic Properties of Graphite with Rotational Stacking Arrangement2009

    • 著者名/発表者名
      S.Okada
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 48

    • NAID

      40016585485

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Temperature dependence of capacitance of Si quantum dot floating gate MOS capacitor2009

    • 著者名/発表者名
      櫻井蓉子
    • 雑誌名

      Journal of Physics, Conference Series (印刷中)

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical Studies of Coupled Quantum Dot System with a Two-dimensional Electron Gas in the Magnetic Fields2009

    • 著者名/発表者名
      高田幸宏
    • 雑誌名

      Journal of Physics, Conference Series (印刷中)

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical Study on Time Dependent Phenomena of Photon-Assisted Tunneling through Charged Quantum Dot2009

    • 著者名/発表者名
      村口正和
    • 雑誌名

      Journal of Physics C (印刷中)

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effective Mass Anomalies in Strained Si Thin Films and Crystals2008

    • 著者名/発表者名
      J. Yamauchi
    • 雑誌名

      IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 29

      ページ: 186-188

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantum cascade multi-electron injection into Si-quantum-dot floating gates embedded in SiO2 matrices2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takada, M. Muraguchi, K. Shiraishi
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci. 254

      ページ: 6199-6202

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical study of the time-dependent phenomena on a two-dimensional electron gas weakly coupled with a discrete level2008

    • 著者名/発表者名
      M. Muraguchi, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 7807-7811

    • NAID

      120007131216

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Energetics of nanoscale graphene ribbons: Edge geometries and electronic structures2008

    • 著者名/発表者名
      S. Okada
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 77

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Energetics of Carbon Peapods; Radial deformation of nanotubes and aggregation of encapsulated C602008

    • 著者名/発表者名
      S. Okada
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 77

      ページ: 235419-235419

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantum cascade multi-electron injection into Si-quantum-dot floating gatesembedded in SiO_2 matrices2008

    • 著者名/発表者名
      高田幸宏
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 254

      ページ: 6199-6202

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] シリコンナノ構造の第一原理計算 : 有効質量異常の発現2008

    • 著者名/発表者名
      山内淳
    • 雑誌名

      固体物理 43

      ページ: 289-296

    • NAID

      40016099914

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical study of the time-dependent phenomena on a two-dimensional electron zas weakly counled with a discrete level2008

    • 著者名/発表者名
      村口正和
    • 雑誌名

      Japanese Jourfial of Applied Physics 47

      ページ: 7807-7811

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Energetics of nanoscale graphene ribbons : Edge geometries and electronic structures2008

    • 著者名/発表者名
      岡田晋
    • 雑誌名

      Physical Review B 77, Art. No.041408

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Energetics of Carbon Peapods ; Radial deformation of nanotubes and aggregation of encapsulated C_<60>2008

    • 著者名/発表者名
      岡田晋
    • 雑誌名

      Physicil Review B 77, Art. No.235419

    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ge vacancies at Ge/Si interfaces: Stress-enhanced pairing dist ortion2008

    • 著者名/発表者名
      K., Takai・K., Shiraishi・A., Oshiyama
    • 雑誌名

      PHYSICAL REVIEW B 77

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 金属/絶縁体界面の物理:ショットキーバリアと原子間混晶化2007

    • 著者名/発表者名
      中山隆史、白石賢二
    • 雑誌名

      表面科学 28

      ページ: 28-33

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantum effects in a double-walled carbon nanotube capacitor2007

    • 著者名/発表者名
      K. Uchida, S. Okada, K. Shiraishi, A. Oshiyama
    • 雑誌名

      PHYSICAL REVIEW B 76(15)

      ページ: 155436-155436

    • NAID

      120007139048

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effective-Mass Anormalies of Strained Silicon Thin Films: Surface and Confinement Effects2007

    • 著者名/発表者名
      J. Yamauchi, S. Matsuno
    • 雑誌名

      JAPANEASE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIER COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46

      ページ: 3273-3276

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantum effects in a double-walled carbon nanotube capacitor2007

    • 著者名/発表者名
      K. Uchida, S. Okada, K. Shiraishi, and A. Oshiyama
    • 雑誌名

      PHYSICAL REVIEW B 76 (15) : Art. No. 155436

    • NAID

      120007139048

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
  • [雑誌論文] Suppression of oxygen vacancy formation in Hf-based high-k dielectrics by lanthanum incorporation2007

    • 著者名/発表者名
      N, Umezawa, K, Shiraishi, et al
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS LETTERS 91 (13) : Art. No. 132904

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
  • [雑誌論文] Quantum effects in a cylindrical carbon-nanotube capacitor2007

    • 著者名/発表者名
      K. Uchida, S. Okada, K. Shiraishi, and A. Oshiyama
    • 雑誌名

      OURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 19 (36) : Art. No. 365218

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書
  • [雑誌論文] Quantum effects in a double-walled carbon nanotube capacitor2007

    • 著者名/発表者名
      K., Uchida・S., Okada・K., Shiraishi・A., Oshiyama
    • 雑誌名

      PHYSICAL REVIEW B 76

    • NAID

      120007139048

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Suppression of oxygen vacancy formation in Hf-based high-k dielectrics by lanthanum incorporation2007

    • 著者名/発表者名
      N., Umezawa・K., Shiraishi・S., Sugino, et. al.
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS LETTERS 91

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantum effects in a cylindrical carbon-nanotube capacito2007

    • 著者名/発表者名
      K., Uchida・S., Okada・K., Shiraishi・A., Oshiyama
    • 雑誌名

      JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 19

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Hafnium 4f core-level shifts caused by nitrogen incorporation in Hf-based high-k gate dielectrics2007

    • 著者名/発表者名
      N., Umezawa・K., Shiraishi・S., Miyazaki, et. al.
    • 雑誌名

      JAPANEST JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 46

      ページ: 3507-3509

    • NAID

      40015421738

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Guiding principle of energy level controllability of silicon dangling bonds in HfSiON2007

    • 著者名/発表者名
      N., Umezawa・K., Shiraishi・S., Miyazaki, et. al.
    • 雑誌名

      JAPANEST JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 46

      ページ: 1891-1894

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Physical origin of stress-induced leakage currents in ultra-thin silicon dioxide films2007

    • 著者名/発表者名
      T., ・Endoh・K., Hirose・K., Shiraishi
    • 雑誌名

      IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E90C

      ページ: 955-961

    • NAID

      10018216417

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Role of nitrogen atoms in reduction of electron charge traps in Hf-based high-k dielectrics2007

    • 著者名/発表者名
      N., Umezawa・K., Shiraishi・K., Torii, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 28

      ページ: 363-365

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effective-Mass Anormalies of Strained Silicon Thin Films:Surface and Confinement Effects2007

    • 著者名/発表者名
      J., Yamauchi・S., Matsuno
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 46

      ページ: 3273-3276

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effective-Mass Anormalies in Strained Si Thin Films and Crystals2007

    • 著者名/発表者名
      J., Yamauchi
    • 雑誌名

      IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS; 29

      ページ: 186-1886

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Orientation Dependence of Magnetic Moment of Carbon Nanotubes with Topological Line Defects2007

    • 著者名/発表者名
      S.Okada, K.Nakada, T.Kawai
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 90

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Radial-Breathing Mode Frequencies for Nanotubes Encapsulating Fullerenes2007

    • 著者名/発表者名
      S.Okada
    • 雑誌名

      Chem.Phys.Lett. 438

      ページ: 59-59

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Effect of Encapsulated Atoms on the Electronic Structure of the Fullerene cage : A Case Study on La_2@C_<78> and Ti_2C_2@C_<78> via Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy2007

    • 著者名/発表者名
      S.Hino, M.Kato, D.Yoshimura, H.Moribe, H.Umemoto, Y.Ito, T.Sugai, H.Shinohara, M.Otani, Y.Yoshimoto, S.Okada
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 75

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Akasaka, G. Nakamura, K. Shiraishi, N. Umezawa, K. Yamabe, O. Ogawa, M. Lee, T. Amiaka, T. Kasuya, H. Watanabe, T. Chikyow, F. Ootsuka, Y. Nara, K. Nakamura
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

    • NAID

      10018461127

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Oxygen-vacancy-induced threshold voltage shifts in Hf-related high-k gate stacks2006

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi, K. Yamada, K. Torii, Y. Akasaka, K. Nakajima, M. Konno, T. Chikyow, H. Kitajima, T. Arikado, Y. Nara
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 305-310

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ferromagnetic Spin Ordering on Carbon Nanotubes with Topological Line Defects2006

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, K. Nakada, K. Kuwabara, K. Daigoku, T. Kawai
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 74

      ページ: 121412-121412

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces2006

    • 著者名/発表者名
      T. Nakayama, S. Itaya, D. Murayama
    • 雑誌名

      J. Phys. Conf. Ser. 38

      ページ: 216-219

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Thermal annihilation process of stacking-fault tetrahedron defect in Si-film epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      R. Kobayashi, T. Nakayama
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 29-32

    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ferromagnetic Spin Ordering on Carbon Nanotubes with Topological Line Defects2006

    • 著者名/発表者名
      S.Okada, K.Nakada, K.Kuwabara, K.Daigoku, T.Kawai
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 74

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Akasaka, G.Nakamura, K.Shiraishi, N.Umezawa, K.Yamabe, O.Ogawa, M.Lee, T.Amiaka, T.Kasuya, H.Watanabe, T.Chikyow, F.Ootsuka, Y.Nara, K.Nakamura
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.Part 2 45

    • NAID

      10018461127

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Introduction of defects into HfO_2 gate dielectrics by metal-gate deposition studied using x-ray photoelectron spectroscopy and positron annihilation2006

    • 著者名/発表者名
      A.Uedono, T.Naito, T.Otsuka, K.Shiraishi, K.Yamabe, S.Miyazaki, H.Watanabe, N.Umezawa, T.Chikyow, Y.Akasaka, S.Kamiyama, Y.Nara, Yamada
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 100

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Oxygen-Vacancy-Induced Threshold Voltage Shifts in Hf-Related High-k Gate Stacks2006

    • 著者名/発表者名
      K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado, Y.Nara
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 305-305

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] New Theory of Effective Work Functions at Metal/High-k Dielectric Interfaces-Application to Metal/High-k HfO_2 And La_2O_3 Dielectric Interfaces-2006

    • 著者名/発表者名
      K.Shiraishi, T.Nakayama, Y.Akasaka, S.Miyazaki, T.Nakaoka, K.Ohmori, P.Ahmet, K.Torii, H.Watanabe, T.Chikyow, Y.Nara, H.Iwai, K.Yamada
    • 雑誌名

      ECS Transactions 2(1)

      ページ: 25-25

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] A Novel Remote Reactive Sink Layer Technique for the Control of N and O Concentrations in Metal/High-k Gate Stacks2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Akasaka, K.Shiraishi, N.Umezawa, O.Ogawa, T.Kasuya, T.Chikyow, F.Ootsuka, Y.Nara, K.Nakamura
    • 雑誌名

      Technical Digest of 2006 Symposium on VLSI Tech.(Honolulu, USA)

      ページ: 206-206

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Nano-scale view of atom intermixing at metal/semiconductor interfaces2006

    • 著者名/発表者名
      T.Nakayama, S.Itaya, D.Murayama
    • 雑誌名

      J.Phys.Conf.Ser. 38

      ページ: 216-216

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Thermal annihilation process of stacking-fault tetrahedron defect in Si-film epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      R.Kobayashi, T.Nakayama
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 29-29

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [学会発表] MONOS型メモリにおけるSiN層のN空孔型欠陥の原子構造と電子構造2009

    • 著者名/発表者名
      山口慶太
    • 学会等名
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] MONOS型メモリにおけるSiN層への0混入の効果の理論的検討2009

    • 著者名/発表者名
      大竹朗
    • 学会等名
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 電子ガスー量子ドット結合系における電子構造II2009

    • 著者名/発表者名
      高田幸宏
    • 学会等名
      日本物理学会第64回年次大会
    • 発表場所
      立教大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 電子ガスー量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性2009

    • 著者名/発表者名
      櫻井蓉子
    • 学会等名
      日本物理学会第64回年次大会
    • 発表場所
      立教大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII2009

    • 著者名/発表者名
      村口正和
    • 学会等名
      日本物理学会第64回年次大会
    • 発表場所
      立教大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] MONOS型メモリの電荷蓄積機構の第一原理計算による考察2009

    • 著者名/発表者名
      大竹朗
    • 学会等名
      第14回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      東レ三島研修センター
    • 年月日
      2009-01-24
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Physics for Si nanowire FET and its fabrication2009

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi
    • 学会等名
      PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists
    • 発表場所
      Tokyo, Japan.
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Physics of Nano-Interfaces and Nano-Structures for Future Si Nano-Devices2009

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi
    • 学会等名
      216th Meeting of Electrochemical Society
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Physics of Nano-contact between Si Quantum Dots and Inversion Layer2009

    • 著者名/発表者名
      S. Nomura, Y. Sakurai, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki
    • 学会等名
      216th Meeting of Electrochemical Society
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Physics of Nano-Interfaces and Nano-Structures for Future Si Nano-Devices2009

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi
    • 学会等名
      10th I10th International Conference on Atomically Cotrolled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 発表場所
      Granada, Spain
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Theoretical models for work function control2009

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi
    • 学会等名
      16th biannual conference of Insulating Films on Semiconductors
    • 発表場所
      Cambridge, UK
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Guiding Principles toward Future Gate Stacks Given by the Construction of New Physical Concepts2009

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi
    • 学会等名
      2009 Symposium on VLSI Technologies
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Universal Guiding Principles for Charge-Trap Memories with High Program/Erase Cycle Endurance2009

    • 著者名/発表者名
      K. Yamaguchi, A. Otake, K. Kobayashi, K. Shiraishi
    • 学会等名
      2009 IEEE Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      Baltimore, USA
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書 2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Atomistic Studies for MONOS-Type Charge Trap Memories -A Theoretical Guiding Principles for High Program/Erase Endurance-2009

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi, K. Yamaguchi, A. Otake, K. Kobayashi
    • 学会等名
      The 15th International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
    • 発表場所
      New Delhi, India
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Physics for Si nanowire FET and its fabrication2009

    • 著者名/発表者名
      白石賢二
    • 学会等名
      PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030 : Prospects by World's Leading Scientists
    • 発表場所
      東京
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Physics of Nano-Interfaces and Nano-Structures for Future Si Nano-Devices2009

    • 著者名/発表者名
      白石賢二
    • 学会等名
      216^<th> Meeting of Electrochemical Society
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Physics of Nano-contact between Si Quantum Dots and Inversion Layer2009

    • 著者名/発表者名
      S.Nomura
    • 学会等名
      216^<th> Meeting of Electrochemical Society
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Physics of Nano-Interfaces and Nano-Structures for Future Si Nano-Devices2009

    • 著者名/発表者名
      白石賢二
    • 学会等名
      10^<th>I10th International Conference on Atomically Cotrolled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 発表場所
      Granada, Spain
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Guiding Principles toward Future Gate Stacks Given by the Construction of New Physical Concepts2009

    • 著者名/発表者名
      白石賢二
    • 学会等名
      2009 Symposium on VLSI Technologies
    • 発表場所
      京都
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Theoretical models for work function control2009

    • 著者名/発表者名
      白石賢二
    • 学会等名
      16^<th> biannual conference of Insulating Films on Semiconductors
    • 発表場所
      Cambridge, UK
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Atomistic Studies for MONOS-Type Charge Trap Memories -A Theoretical Guiding Principles for High Program/Erase Endurance-2009

    • 著者名/発表者名
      白石賢二
    • 学会等名
      The 15^<th> International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
    • 発表場所
      New Delhi, India
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] イオン性と共有結合性が織りなす新しい材料科学の世界-High-kゲートスタックを振り返って2009

    • 著者名/発表者名
      白石賢二
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会シンポジウム、「High-kゲートスタック研究を振り返り、次のステップヘ」
    • 発表場所
      富山市
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] First principles studies on the proton transfer mechanism in cytochrome c oxidase2009

    • 著者名/発表者名
      白石賢二
    • 学会等名
      第47回日本生物物理学会年会シンポジウム"Structural chemical studies on physiological functions of proteins"
    • 発表場所
      徳島市
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] オーミックコンタクトの再考2009

    • 著者名/発表者名
      高田幸宏
    • 学会等名
      2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Negatively Charged Deep Level Defects Generated by Yttrium and LanthanumIncorporation into HfO2 for Vth adjustment, and the Impact on TDDB, PBTI and 1/f noise2009

    • 著者名/発表者名
      M.Sato
    • 学会等名
      2009 IEEE Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      Baltimore, USA
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Reversible and Irreversible Degradation Attributing to Oxygen Vacancy in HfSiON Gate Films during Electrical Stress Application2009

    • 著者名/発表者名
      R.Hasunuma
    • 学会等名
      2009 IEEE Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      Baltimore, USA
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Charged defects reduction in gate insulator with multivalent materials2009

    • 著者名/発表者名
      高田幸宏
    • 学会等名
      2009 Symposium on VLSI Technologies
    • 発表場所
      京都
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Capacitance measurements on quantum dots coupled to a two-dimensional electron system2008

    • 著者名/発表者名
      野村晋太郎
    • 学会等名
      13th Advanced Heterostructures and Nanostructures Workshop
    • 発表場所
      ハワイ(アメリカ)
    • 年月日
      2008-12-09
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Theoretical investigation of quantum dot coupled to a two-dimensional electron system2008

    • 著者名/発表者名
      村口正和
    • 学会等名
      13th Advanced Heterostructures and Nanostructures Workshop
    • 発表場所
      ハワイ(アメリカ)
    • 年月日
      2008-12-09
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] 量子ドットフローティングメモリめ低温におけるC-V特性2008

    • 著者名/発表者名
      櫻井蓉子
    • 学会等名
      第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-04
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Temperature Dependence of Capacitance of Si Quantum Dot Floating Gate MOS Capacitor2008

    • 著者名/発表者名
      櫻井蓉子
    • 学会等名
      25th international conference on Low Temperature Physics
    • 発表場所
      アムステルダム(オランダ)
    • 年月日
      2008-08-09
    • 関連する報告書
      2008 実績報告書
  • [学会発表] Theoretical investigations on metal/high-k interfaces2008

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi. T. Nakayama, S. Miyazaki, A. Ohta, Y. Akasaka, H. Watanabe, Y. Nara, K. Yamada
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Theoretical Investigation of Metal/Dielectric Interfaces -Breakdown of Schottky Barrier Limits-2008

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi, T. Nakayama, T. Nakaoka, A. Ohta, S. Miyazaki
    • 学会等名
      214th Meeting of Electrochemical Society
    • 発表場所
      Pheonix, AZ., USA
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Characteristic Nature of High-k Dielectric Interfaces2008

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT 2008 on NANOELECRONICS
    • 発表場所
      Sikkim, India
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Physics of Schottky barrier at Metal/high-k Interfaces2008

    • 著者名/発表者名
      T. Nakayama, R. Ayuda, H. Nii, K. Shiraishi
    • 学会等名
      2008 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA(invited)
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Characteristic Nature of High-K Dielectric Interfaces2008

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT 2008 on NANOELECRONICS
    • 発表場所
      Sikkim, India
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Schottky barrier and stability of metal/high-k interfaces; theoretical view2007

    • 著者名/発表者名
      T. Nakayama
    • 学会等名
      Int. Conf. Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書 2008 自己評価報告書
  • [学会発表] Theoretical Studies on Metal/. High-k Gate Stacks2007

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, K. Yamada
    • 学会等名
      211th Meeting of Electrochemical Society
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] How can first principles calculations give large contributions to industries?2007

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi
    • 学会等名
      ISSP International Workshop/ Symposium on Foundation and Application of Density Functional Theory
    • 発表場所
      Kashiwa, Japan
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-k Gate Stacks Based on Thermodynamics2007

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, H. Watanabe, K. Ohmori, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji, K. Yamada
    • 学会等名
      212th Meeting of Electrochemical Society
    • 発表場所
      Washington D.C., USA
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Interface Properties of Hf-Based High-k Gate Dielectrics -O Vacancies and Interface Reaction-2007

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi
    • 学会等名
      14th International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Mumbai, India
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Carbon Nanotube and its Hybrid Structures2007

    • 著者名/発表者名
      A. Oshiyama
    • 学会等名
      2nd Int. Symposium on Nanometer-Scale Quantum Physics (nanoPHYS07)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Recent Progress in Understanding the Mechanism of Shottoky Barrier Height Formation at Various Interfaces2007

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Okada, S. Miyazaki, H. Watanabe, Y. Akasaka, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamada
    • 学会等名
      International Symposium on Theories of Organic-Metal Interfaces 2007
    • 発表場所
      Suita, Osaka, Japan
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Theoretical Studies on Metal/.High-k Gate Stacks2007

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S.Miyazaki, H.Watanabe, A.Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K.Yamabe, and K. Yamada
    • 学会等名
      211th Meeting of Electrochemical Society
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書 2007 実績報告書
  • [学会発表] Schottky barrier and stability of metal/high-k interfaces; theoretical view2007

    • 著者名/発表者名
      T. Nakayama
    • 学会等名
      Int. Conf. Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan.
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] How can first principles calculations give large contributions to industries?2007

    • 著者名/発表者名
      K., Shiraishi
    • 学会等名
      ISSP International Workshiop/Symposium on Foundation and Application of Density Functional Theory
    • 発表場所
      Kashiwa, Japan
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-K Gate Stacks Based on Thermodynamics2007

    • 著者名/発表者名
      K., Shiraishi・Y., Akasaka・G., Nakamura・T., Nakayama・S., Miyazaki・H., Watanabe・A., Ohta・K., Ohmori・T., Chikyow・Y., Nara・K., Yamada
    • 学会等名
      212th Meeting of Electrochemical Society
    • 発表場所
      Washington D. C., USA
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Interface Properties of Hf-Based High-K Gate Dielectrics -O Vacancies and Interface Reaction2007

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi
    • 学会等名
      14th International Workshop on the Physics of Semicon ductor Devices
    • 発表場所
      Mumbai, India
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Theory of Fermi Level Pinning of High-k Dielectrics2006

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi, H. Takeuchi, Y. Akasaka, H. Watanabe, N. Umezawa, T. Chikyow, Y. Nara, T. -J. King Liu, K. Yamada
    • 学会等名
      2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices
    • 発表場所
      Monterey, CA, USA
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Physics of interfaces between gate electrodes and high-k dielectrics2006

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi, H. Takeuchi, Y. Akasaka, T. Nakayama, S. Miyazaki, T. Nakaoka, A. Ohta, H. Watanabe, N. Umezawa, K. Ohmori, P. Ahmet, K. Toii, T. Chikyow, Y. Nara, T-J. King Liu, H. Iwai, K. Yamada
    • 学会等名
      8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Physics of Metal/High-k Interfaces2006

    • 著者名/発表者名
      T. Nakayama, K. Shiraishi, S. Miyazaki, Y. Akasaka, K. Torii, P. Ahmet, K. Ohmori, N. Umezawa, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, H. Iwai, K. Yamada
    • 学会等名
      Fourth International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks at the 210th Meeting of Electrochemical Society
    • 発表場所
      Cancun, Mexico
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] What Happen at High-k Dielectric Interfaces?2006

    • 著者名/発表者名
      K. Shiraishi, T. Nakayama, Y. Akasaka, H. Takeuchi, S. Miyazaki, N. Umezawa, G. Nakamura, A. Ohta, T. Nakaoka, H. Watanabe, K. Yamabe, K. Ohmori, P. Ahmet, T. Chikyow, Y. Nara, H. Iwai, K. Yamada
    • 学会等名
      37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference
    • 発表場所
      San Diego, CA, USA
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [学会発表] Atomic and Electronic Structures of Carbon nanotubes on Si and Metal Surfaces2006

    • 著者名/発表者名
      A. Oshiyama
    • 学会等名
      9th Asian Workshop on First-Principles Electronic-Structure Calculations
    • 発表場所
      Seoul, KOREA
    • 関連する報告書
      2009 研究成果報告書
  • [備考] 研究項目A04の宮崎教授グループと20年度だけで、計23件の共同研究発表を行った。これは特定領域研究の組織を最大限に有効利用したものである。

    • 関連する報告書
      2008 自己評価報告書

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公開日: 2006-04-01   更新日: 2021-04-07  

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